1gw smd транзистор

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель PC Ta = 25°C UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г 1 40 25 6 0,1 150 100 1,7 45…630 TO-92
КТ6114 А/Б/В 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ968 В 4 300 200 5 0,1 150 90 2,8 35…220 TO-39

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
3DG8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
BC517S 0,625 40 30 10 1 150 200 33000 TO-92
BTN8050A3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 6 160 TO-92
BTN8050BA3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 160 TO-92
CX908B/C/D 0,625 40 25 6 1 150 100 120…260 TO-92
KTC3203 0,625 30 0,8 150 190 100 TO-92
KTC3211 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
KTS8050 0,625 25 0,8 175 100 TO-92
M8050-C/D 0,625 40 25 6 150 150 120…160 TO-92
S8050 0,3 409 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
8050HQLT1 0,3 40 25 5 1,5 150 150 SOT-23
8050QLT1 0,3 40 25 5 0,8 150 150 SOT-23
8050SLT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
CHT9013GP 0,3 45 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
F8050HPLG 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
KTC9013SC 0,35 40 30 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMBT8050D 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMS9013-H/L 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
NSS40201L 0,54 40 25 4 150 150 120 SOT-23
NSS40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 200 SOT-23
NSV40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 150 200 SOT-23
PBSS4140T 0,3 40 40 5 1 150 150 300 SOT-23
S9013 0,3 40 25 5 0,8 150 150 120 SOT-23
ZXTN2040F 0,35 40 1 150 300 SOT-23
ZXTN25040DFL 0,35 40 1,5 190 300 SOT-23
ZXTN649F 0,5 25 3 200 SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Маркировка SMD компонентов G-1 G-2

Расположение и назначение выводов    A B C D E FАналоги корпусовТипоразмеры SMD корпусов

     код             Тип                  Примечание      Рисунок/ корпус
G BAR63-02W СВЧ транзистор 3.3ГГц E1 / SCD80
G BAR63-03W СВЧ транзистор 3.3ГГц E1 / SOD323
G KV1181E варикап (2-16пф) E1 / URD
G MRF947A n-p-n СВЧ транзистор 8ГГц A14 / SOT323
G0 HSMP-3890 pin-диод аналог HP3890 A3 / SOT23
G0 HSMP-389B pin-диод аналог HP3890 A3 / SOT323
G08 DTD133HKA n-p-n транз. R1=3.3k R2=10k A14 / SC59
G1 BFS20 аналог BF199 A14 / SOT23
G1p BFS20 аналог BF199 A14 / SOT23
G1t HSMP-3891 pin-диод аналог HP3890 A11 / SOT23
G1 MMBT5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT23
tG1 PMBT5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT23
tG1 PMST5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT323
G1E BC847A аналог BC547A A14 / SOT23
G1F BC847B аналог BC547B A14 / SOT23
G1G BC847C аналог BC547C A14 / SOT23
G1J BC848A аналог BC548A A14 / SOT23
G1K BC848B аналог BC548B A14 / SC70
G1K BC848B аналог BC548B A14 / SOT23
G1L BC848C аналог BC548C A14 / SOT23
G2 HSMP-3892 2pin-диода аналог HP3890 A4 / SOT23
G3 HSMP-3893 2pin-диода аналог HP3890 A1 / SOT23
pG3 PMST5551 аналог 2N5551 A14 / SOT323
G3 BAR63 pin-диод 3ГГц A3 / SOT23
G3C DTB122JK p-n-p транз.R1=220 R2=470 A14 / SC59
G3E BC857A аналог BC557A A14 / SOT23
G3F BC857B аналог BC557B A14 / SOT23
G3J BC858A аналог BC558A A14 / SOT23
G3K BC858B аналог BC558B A14 / SOT23
G3K BC858B аналог BC558B A14 / SC70
G3L BC858C аналог BC558C A14 / SOT23
G4 BFS20R аналог BF199 A14 / SOT23
G4 HSMP-3894 два;аналог HP3890 A2 / SOT23
G4 BAR63-04 2pin-диода 3ГГц A4 / SOT23
G4C DTD122JK n-p-n транз.R1=220 R2=470 A14 / SC59
G4s BAR63-04W 2pin-диода 3ГГц A4 / SOT323
G5 HSMP-3895 2pin-диода аналог HP3890 B3 / SOT143
     код                 Тип                  Примечание      Рисунок/ корпус
G5 BAR63-05 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT23
G5s BAR63-05W 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT323
G5B BC807-25 аналог BC327-25 A14 / SOT23
G6 BAR63-06 2pin-диода 3ГГц A1 / SOT23
G6s BAR63-06W 2pin-диода 3ГГц A1 / SOT323
G6A BC817-16 аналог BC337-16 A14 /
G6B BC817-25 аналог BC337-25 A14 / SOT23
G7 BF579 p-n-p СВЧ транз. 1.75ГГц A14 /
G11 DTB113ZKA p-n-p транз.R1=1k R2=10k A14 / SC59
G21 DTD113ZKA n-p-n транз.R1=1k R2=10k A14 / SC59
G98 DTB133HKA p-n-p транз.R1=3.3k R2=10k A14 / SC59
GA HSMP-4890 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT23
GA BAW78A переключающий диод 50В B12/SOT89
GAB BCW60B аналог BCY58 A14 / SOT23
GAC BCW60C аналог BCY58 A14 / SOT23
GAD BCW60D аналог BCY58 A14 / SOT23
GAH BCX70H аналоги BCY59 BC107B A14 / SOT23
GAJ BCX70J аналоги BCY59 BC107 A14 / SOT23
GAK BCX70K аналоги BCY59 BC107 A14 / SOT23
GB BAW78B переключающий диод 100В B12/SOT89
GBB BCW61B аналог BCY78 A14 / SOT23
GBC BCW61C аналог BCY78 A14 / SOT23
GBG BCX71G аналог BCY79 A14 / SOT23
GBH BCX71H аналог BCY79 A14 / SOT23
GBJ BCX71J аналог BCY79 A14 / SOT23
GC BAW78C перекл. диод 200В B12/SOT89
GC1 BCW29 аналог BC178A A14 / SOT23
GC2 BCW30 аналог BC178B A14 / SOT23
GD BAW78D перекл. диод 400В B12/SOT89
GD1 BCW31 аналог BC108C A14 / SOT23
GD2 BCW32 аналог BC108B A14 / SOT23
GD3 BCW33 аналог BC108A A14 / SOT23
GE BFR35AP аналог BFR34A A14 / SOT23
GE BAW79A 2переключающий диода 50В C19 /SOT89
GEC BCW65C n-p-n транз.32V 800mA A14 / SOT23
GF BFR92P аналог BFR90 A14 / SOT23
GF BAW79B 2перекл. диода 100В C19 /SOT89

Комментарии:

Семен 21.11.2020 23:21

Спасибо за статью. Мне пришел Fish-8840TFT. Уже опробовал. Отличный прибор!

Жуков Александр Николае 14.01.2021 09:27

Приветствую, подскажите что за контроллер, маркировка At7MA, находится на плате SSD Samsung 250Gb 860 EVO

Admin 14.01.2021 15:27

Александр Николаевич, у меня нет такой информации.

bal 19.01.2021 12:12

Здравствуйте. Не подскажете,что за контроллер с маркировкой ML4DA?

Admin 19.01.2021 12:17

bal, какой корпус, где стоит, есть ли рядом дроссель?

bal 19.01.2021 13:48

Я Вам уже писал,что заказал на Али sy8113adc, прислали не то. Сейчас получил от другого продавца с маркировкой ML4DA. Корпус sot23—6, а должно быть WCxxx. Собрал схему по даташиту, вроде все работает как надо. Писал Вам до проверки, поэтому иэвините, может зря побеспокоил.

Admin 19.01.2021 13:51

bal, такой маркировки я пока не знаю.

klea 07.02.2021 02:30

Здравствуйте, подскажите что за ШИМ в корпусе SOT—23—6 маркировка PHBI или PHB1. Схема нетипичная, ключевой транзистор биполярный MJE1300L. Оптопары в обвязке нет. Такое впечатление, что смог разобрать по плате — транзистор там вообще нафиг не нужен — он коммутирует просто силовую часть ШИМки, база у него управляется не от ШИМки а от гасящего делителя запитанного от постоянки +300V. Получается, в самой ШИМке встроен ключ…На трансформаторе, дополнительная обмотка с отводом для упр

Admin 07.02.2021 10:24

klea, пока ничего похожего не нашел. Маркировка похожа на Texas Instruments, но у них такого не пробивается по базе. Если что найду — напишу здесь.

klea 07.02.2021 19:21

Дополнительная информация. Блок питания iRZ SCE1200500PE На 12v 500ma. Схемы на него нет, я по крайней мере не нашёл. Такой схемотехники что там — просто не встречал никогда, может какое—то НОУ—ХАУ или тупо извращение от китайцев:) Спасибо!

Евений 28.03.2021 21:56

Добрый вечер подскажите пожалуйста микросхемка маркировка 4C восемь ножек. Стоит на плате зарядки аккумулятора. По дорожкам не очень разберёшь мелко и под элементами. По таблицам не нашёл. Или выпадает далеко не то.

Admin 28.03.2021 22:19

Евений, к сожалению, моя база пока только по трех, пяти и шести выводным компонентам. Просто пока не могу помочь.

Федор Михайлович 24.05.2021 15:41

В радиостанции Midland alan100 plus сгорел линейный стабилизатор смд на нем написано 16m1 подскажите как она называется.

Admin 25.05.2021 07:53

Федор Михайлович, к сожалению, у меня есть данные только по LDO-регуляторам в корпусах SOT23-5…

Анатолий 27.05.2021 22:26

Добрый день. В активных аккустических колонках в блоке питания сгорела микросхема 63W16 SOP—6. Может ли это быть OB2263MP, или я ошибаюсь. Подскажите пожалуйста.

Admin 27.05.2021 22:31

Анатолий, если бы корпус был SOT23-6, я бы сказал, что да. А по SOP-6 у меня просто нет данных. OB2263MP не выпускается в корпусе SOP-6, только в SOT23-6, SOP-8, DIP-8.

Владимир 30.07.2021 21:34

Будьте любезны ответить, что это за SMD элемент: корпус SOT23—3 кодировка не совсем может точная: AS5H8 или A55H8

Admin 31.07.2021 09:48

Владимир, возможно, Si2305ADS полевой транзистор с P-каналом, возможно, что-то другое — в зависимости от того, где стоит и что делает. Если рядом есть дроссель, возможно, повышающий DC/DC-конвертер LC3500 на фиксированное напряжение 2.5 вольта.

Добавить комментарий:

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.