2n2222 характеристики транзистора, datasheet и аналог

Оглавление

KN2222A Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор 2N2222AU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2N2222AU Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
P2N2222A Datasheet (PDF)
2SA2222 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор FMMT2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
FMMT2222A Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор 2SA2222 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SA2222 Datasheet (PDF)
KN2222 Datasheet (PDF)
2N2222AU Datasheet (PDF)
P2N2222A Datasheet (PDF)
История создания
VN2222LL Datasheet (PDF)
Другие переключающие транзисторы
Характеристики
Биполярный транзистор KTN2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
KTN2222A Datasheet (PDF)
Историческая справка
Технические характеристики
- Максимальные параметры
- Электрические параметры
- Коэффициент усиления
- Комплементарная пара

KN2222A Datasheet (PDF)

0.1. kn2222as s.pdf Size:43K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G 1

8.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KN2907/2907A.D 0.45E 1.00F

Биполярный транзистор 2N2222AU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222AU

Маркировка: P1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75

Корпус транзистора:

2N2222AU
Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

0.2. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.3. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

0.4. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N2222AUTECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3is designed for low power surface mount applications.Features 12compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO

0.5. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

Другие транзисторы… LNST3904F3T5G
, LNST3906F3T5G
, S8050LT1
, S8550LT1
, S9018LT1
, 2SC9013
, 2N2222AE
, 2N2222AS
, , 2N2907AS
, 2N2907AU
, BC807S
, BC817S
, BC847E
, DTA201
, DTA202
, DTA203
.

Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: P2N2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

P2N2222A
Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SA2222 Datasheet (PDF)

0.1. 2sa2222.pdf Size:69K _sanyo

Ordering number : ENA1148 2SA2222SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2222High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.Features Adoption of MBIT process. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Max

0.2. 2sa2222sg.pdf Size:298K _sanyo

2SA2222SGOrdering number : ENA1799SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2222SGHigh-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor driversFeatures Adoption of MBIT process Large current capacitance (IC=—10A) Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=—250mV(typ.)) High-speed swi

0.3. 2sa2222 .pdf Size:211K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA2222DESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh speed switchingLow saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage —

0.4. 2sa2222.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

0.5. 2sa2222sg.pdf Size:167K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA2222SGDESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh-speed switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSrelay drivers,lamp drivers,motor driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -50 VCBOV Collector-

Биполярный транзистор FMMT2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FMMT2222A

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

FMMT2222A
Datasheet (PDF)

9.1. fmmt2484.pdf Size:27K _diodes

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

9.2. fmmt2369.pdf Size:34K _diodes

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T

9.3. fmmt2907.pdf Size:40K _diodes

SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I

Другие транзисторы… FMMT2218
, FMMT2218A
, FMMT2219
, FMMT2219A
, FMMT2221
, FMMT2221A
, FMMT2221R
, FMMT2222
, BC109
, FMMT2222AR
, FMMT2222R
, FMMT2369
, FMMT2369A
, FMMT2369R
, FMMT2484
, FMMT2484R
, FMMT2894
.

Биполярный транзистор 2SA2222 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA2222

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 115
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150

Корпус транзистора: TO220ML

2SA2222
Datasheet (PDF)

0.1. 2sa2222.pdf Size:69K _sanyo

0.2. 2sa2222sg.pdf Size:298K _sanyo

0.3. 2sa2222 .pdf Size:211K _inchange_semiconductor

0.4. 2sa2222.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

0.5. 2sa2222sg.pdf Size:167K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SA2099
, 2SA2112
, 2SA2124
, 2SA2125
, 2SA2126
, 2SA2153
, 2SA2169
, 2SA2202
, , 2SC4614
, 2SC4617
, 2SC4731
, 2SC4837
, 2SC5226A
, 2SC5227A
, 2SC5231A
, 2SC5245A
.

KN2222 Datasheet (PDF)

0.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec

0.2. kn2222as s.pdf Size:43K _kec

2N2222AU Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

0.2. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.3. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

0.4. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

0.5. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

P2N2222A Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

VN2222LL Datasheet (PDF)

0.1. vn2222ll.rev1.pdf Size:68K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN2222LL/DTMOS FET TransistorN Channel EnhancementVN2222LL3 DRAINMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATI

0.2. vn10lls vn0605t vn0610ll vn2222ll.pdf Size:51K _vishay

VN10LLS, VN0605T, VN0610LL, VN2222LLVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID Min (A)VN10LLS 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.32VN0605T 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3.0 0.1860VN0610LL 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.28VN2222LL 5 @ VGS = 10 V 0.6 to 2.5 0.23FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2.5 W

0.3. vn2222ll.pdf Size:17K _diodes

N-CHANNEL ENHANCEMENTVN2222LLMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 FEB 94S G DTO92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb = 25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 40 VPower Dissipation at Tamb = 25C Ptot 400 mWOperating and Storage Temperature Range Tj:Tstg -55 to

0.4. vn2222llg.pdf Size:92K _onsemi

VN2222LLGSmall Signal MOSFET150 mAmps, 60 VoltsN-Channel TO-92http://onsemi.comhttp://onsemi.comFeatures This is a Pb-Free Device*150 mA, 60 VRDS(on) = 7.5 WMAXIMUM RATINGSN-ChannelRating Symbol Value UnitDDrain -Source Voltage VDSS 60 VdcDrain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) VDGR 60 VdcGate-Source VoltageG- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 5

Другие переключающие транзисторы

Распиновка вариантов 2Н2222 в пластиковом корпусе ТО-92 .

Кремниевые NPN-транзисторы с аналогичными свойствами также производятся в различных небольших корпусах для сквозного монтажа и поверхностного монтажа, включая TO-92 , SOT-23 и SOT-223.

Замены для 2N2222 обычно доступны в более дешевой упаковке TO-92 , где он известен как PN2222 или P2N2222, который имеет аналогичные характеристики, за исключением более низкого максимального тока коллектора. P2N2222 имеет другой порядок выводов, чем металлический корпус 2N2222, с коммутационными соединениями эмиттера и коллектора; другие транзисторы в пластиковом корпусе также имеют разное расположение выводов.

Одиночные транзисторы также доступны в нескольких различных корпусах для поверхностного монтажа, и ряд производителей продают корпуса для поверхностного монтажа, которые включают несколько транзисторов типа 2N2222 в одном корпусе в виде массива транзисторов. Общие характеристики различных вариантов схожи, самая большая разница заключается в максимально допустимом токе и рассеиваемой мощности.

Семейство BC548 , в том числе от BC547A до BC550C, представляет собой транзисторы общего назначения с низким напряжением и током в корпусах TO-92 европейского производства, которые часто используются в схемах усиления и переключения слабых сигналов того типа, в котором 2N2222 может иначе можно использовать. Это не настоящая замена, а сопоставимые устройства, которые могут быть заменены только в цепях, в которых не превышаются максимальные значения тока и напряжения.

2N2907 является одинаково популярны ПНП транзистор комплементарной к 2N2222.

2N3904 является транзистором NPN , который может переключаться только одну трети тока 2N2222 , но имеет иной сходные характеристики. 2N3904 демонстрирует свой пик прямого усиления (бета) при более низком токе, чем 2N2222, и может использоваться в усилителях с пониженным I _c , например (пик усиления при 10 мА для 2N3904 и 150 мА для 2N2222).

Версия 2N2222A в более крупном металлическом корпусе TO-39 , 2N2219A имела более высокую мощность рассеивания (3 Вт при подключении к радиатору, поддерживающему температуру корпуса на уровне 25 ° C, или 0,8 Вт на открытом воздухе, по сравнению с 1,8 Вт). Ватт и 0,5 Вт (соответственно) для 2N2222A.

Характеристики

JEDEC регистрация номера устройства обеспечивает определенные номинальные значения будут выполнены все части предлагаемых под этим номером. Параметры, зарегистрированные в JEDEC, включают габаритные размеры, усиление тока слабого сигнала , , максимальные значения выдерживаемого напряжения, номинальный ток, мощность рассеивания и температуру и другие параметры, измеренные в стандартных условиях испытаний. Другие номера деталей будут иметь другие параметры. Точные характеристики зависят от производителя, типа корпуса и разновидности

Поэтому важно обращаться к техническому описанию, чтобы узнать точный номер детали и производителя.

Производитель	V _ce	Я _c	P _D	f _T
СТ Микроэлектроника 2Н2222А	40 В	800 мА	500 мВт / 1,8 Вт	300 МГц

Все варианты имеют коэффициент или текущий коэффициент усиления (h _fe ) не менее 100 в оптимальных условиях. Он используется в различных приложениях аналогового усиления и коммутации.

Биполярный транзистор KTN2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTN2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KTN2222A
Datasheet (PDF)

0.1. ktn2222ae.pdf Size:44K _kec

SEMICONDUCTOR KTN2222AETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES BLow Leakage Current DDIM MILLIMETERS: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.2_+A 1.60 0.10Low Saturation Voltage _+B 0.85 0.1031_C 0.70 0.10+: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.D 0.27+0.10/-0.05_Complementary

7.1. ktn2222u au.pdf Size:49K _kec

SEMICONDUCTOR KTN2222U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _A+2.00 0.20D2: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. _+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150

7.2. ktn2222s as.pdf Size:411K _kec

SEMICONDUCTOR KTN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURES DIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G

7.3. ktn2222 a.pdf Size:405K _kec

SEMICONDUCTOR KTN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEKB 4.80 MAX: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. GC 3.70 MAXDComplementary to the KTN2907/2907A.D 0.45E 1.00K

Другие транзисторы… KTD2424
, KTD3055
, KTD525
, KTD686
, KTD718
, KTD863
, KTD998
, KTN2222
, BC109
, KTN2222AS
, KTN2222S
, KTN2369
, KTN2369A
, KTN2369S
, KTN2369U
, KTN2907
, KTN2907A
.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (Т_А) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.

Максимальные параметры

2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при Т_А < +25оС):

предельное напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до 60 В (при I_E=0); К-Э (V_CEO) до 30 В (при I_B=0); Э-Б (V_EBO) до 5 В (при I_B=0);
пиковый ток коллектор (I_B) до 0,8 А;
рассеиваемая мощность (P_tot) до 500 мВт (при Т_С_ase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
температура хранения (T_STG) -65 … +200оС;
температура кристалла (T_J) до +175оС.

Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (T_J), согласно datasheet, может достигать +200 оС.

Электрические параметры

Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (Т_А) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления по току (H_FE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра H_FE могут быть разные. Обычно их H_FE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.

Комплементарная пара

Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.

2n2222 — 2n2222

KN2222A Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2N2222AU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2N2222AU Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

P2N2222A Datasheet (PDF)

2SA2222 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор FMMT2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

FMMT2222A Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SA2222 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SA2222 Datasheet (PDF)

KN2222 Datasheet (PDF)

2N2222AU Datasheet (PDF)

P2N2222A Datasheet (PDF)

История создания

VN2222LL Datasheet (PDF)

Другие переключающие транзисторы

Характеристики

Биполярный транзистор KTN2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KTN2222A Datasheet (PDF)

Историческая справка

Технические характеристики

Максимальные параметры

Электрические параметры

Коэффициент усиления

Комплементарная пара

Похожие записи:

2N2222AU
Datasheet (PDF)

P2N2222A
Datasheet (PDF)

FMMT2222A
Datasheet (PDF)

2SA2222
Datasheet (PDF)

KTN2222A
Datasheet (PDF)