Datasheet bc556 pdf ( даташит )

Оглавление

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
- - Наиболее важные параметры.
BC558C Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор BC558A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
BC558A Datasheet (PDF)
Импортные и отечественные аналоги
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.
- - Наиболее важные параметры.
Биполярный транзистор BC558C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
BC558C Datasheet (PDF)
BC558B Datasheet (PDF)

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 — BC560 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A — от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B — от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 — BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

BC558C Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre

Биполярный транзистор BC558A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC558A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125

Корпус транзистора:

BC558A
Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

Другие транзисторы… BC557
, BC557A
, BC557AP
, BC557B
, BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC109
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, BC558C
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
.

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	V_CEO, В	I_C, мA	P_C, мВт	h_FE	f_T, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.

BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.

BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

Биполярный транзистор BC558C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC558C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC558C
Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

Другие транзисторы… BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC558A
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, A1015
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
, BC559AP
, BC559B
, BC559BP
, BC559C
.

BC558B Datasheet (PDF)

0.1. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

0.2. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi