Даташит bf423 pdf ( datasheet )

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В

P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

-30 В

P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23

P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В

P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2

-30 В

P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33

P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В

IRFTS9342TRPBF

P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6

P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8

P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

  • по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
  • по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
  • по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

Подделка RJP5001 #2

Особенности: Корпус напоминает оригинальный TIG056, за исключением маркировки. Ровная, шлифованная и блестящая поверхность транзистора не свойственна оригинальным изделиям. Кристалл также размером не вышел.

CT40KM

Полное название транзистора CT40KM-8H
Производитель NEC, позже Renesas
Напряжение К-Э 400В
Коммутируемый импульсный ток 200А
Рабочее напряжение на затворе 30-40В
Заменяем без переделок RJP4301, RJP63F3A

Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

  • Толстые, луженые ножки, у основания видна голая медь
  • Корпус с круглыми проштамповками в верхних углах корпуса, внутри них некие цифры, отличаются от серии к серии.
  • Маркировка жирным шрифтом с нечеткими границами. Маркировка краской, состоит из трех строк.

Кристалл размером с таковой у RJP5001, при несравнимо более скромных параметрах.

Подделок на CT40KM-8H нам еще не попадалось, как и самих транзисторов в продаже. 

TIG056

Полное название транзистора TIG056BF
Производитель Sanyo
Напряжение К-Э 400В
Коммутируемый импульсный ток 240A
Рабочее напряжение на затворе 33В
Заменяем без переделок RJP4301

Именно этот транзистор на сегодняшний (2020 год) день является единственным доступным IGBT транзистором с допустимым напряжением на затворе 30В. А значит, это единственная прямая замена CT40KM и RJP301. У нас на складе они есть в наличии: IGBT TIG056 на складе. Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

  • Ножки однородные, гладкие, лужения не видно. Утолщение начинается от корпуса и продолжается примерно на 5мм.
  • Корпус с круглыми выштамповками. Два углубления на фланце по верхним углам, два по нижним. В верхних углублениях проштампованы: слева латинская буква, справа — цифра. Обе разные у разных экземплярах. Лицевая поверхность корпуса зеркально-гладкая, по центру верхнего края углубление с штампом (цифра или буква). 
  •  Маркировка толстым «разделенным» шрифтом Цифры «0» и «6» состоят из двух половинок. Способ маркировки  лазером, под углом видна глубина прожига, три строки маркировки, последняя строка — точка.
  •  Корпус сзади гладкий с тремя углублениями.
  •  Размер кристалла квадратный, примерно 4.5мм на 4.5мм.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель PC, TC=25°C UCB UCE UEB IC TJ fT CC hFE Корпус
TIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C 25 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220IS
TIP42CG/L 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
300 15…75 TO-263
TIP42CG/L 22 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220F
TIP42CG/L 20 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-252
STTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
HTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TIP42E 65 180 140 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42F 65 200 160 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42P 100 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

  •    TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
  •    TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
  •    TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

  •    TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
  •    TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
  •    TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Related Datasheets

Номер в каталоге Описание Производители
BF420 High Voltage Transistors(NPN) Motorola Inc
BF420 NPN high-voltage transistors NXP Semiconductors
BF420 NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage) Siemens Semiconductor Group
BF420 Small Signal Transistors (NPN) General Semiconductor
Номер в каталоге Описание Производители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

 Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

 Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

 Silergy
DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск  

BF423S Datasheet (PDF)

9.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

9.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421L; BF423LPNP high-voltage transistors1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 18Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421L; BF423LFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V)1 base Available with a highe

 9.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

9.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

 9.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high voltage transistorsProduct specification 2004 Nov 10Supersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationPNP high voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Class-B video output stages in

9.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

PNP Silicon Transistors BF 421With High Reverse Voltage BF 423 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary types: BF 420, BF 422 (NPN)231Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)1 2 3BF 421 Q62702-F532 E C B TO-92BF 423 Q62702-F496Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBF 421 BF 423Collector-e

9.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

BF421, BF423High Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantMAXIMUM RATINGSRating Symbol BF421 BF423 UnitTO-92Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -250 VdcCASE 29STYLE 14Collector-Base Voltage VCBO -300 -250 Vdc1122Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc33STRAIGHT LEAD BENT

9.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE BF421VIDEO TRANSISTORS BF423TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 423 421 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 250 300 VVCBOCollector Base Voltage 250 300

9.9. bf423.pdf Size:47K _kec

SEMICONDUCTOR BF423TECHNICAL DATA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPEHIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION. COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONS.B CFEATURES High Voltage : VCEO>-300VComplementary to BF422.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_

9.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Spec. No. : C235A3 Issued Date : 2004.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.01 Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BF423A3Description PNP high voltage transistors in a TO-92 plastic package. Complementary to BF422A3 Pb-free lead plating package Features Low feedback capacitance. Applications Class-B video output stages

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

HBF423 Datasheet (PDF)

0.1. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.1. hbf422.pdf Size:45K _hsmc

Spec. No. : HE6404HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2004.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF422NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescription Video B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………………………………………………………………………………..

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

Наим-е

Корпус

Напряжение пробоя

Rds(on) тип. (10 В)

Ток стока (25°C)

Заряд затвора

Класс
IRFI4024H-117P

5-pin TO-220

55V

48 mOhm

11 A

8.9 nC

Consumer
IRFI4212H-117P

5-pin TO-220

100V

58 mOhm

11 A

12 nC

Consumer
IRFI4019H-117P

5-pin TO-220

150V

80 mOhm

8.7

13 nC

Consumer
IRFI4020H-117P

5-pin TO-220

200V

80 mOhm

9.1 A

19 nC

Consumer
IRF6665TRPBF

DirectFET SH

100V

53 mOhm

19 A

8.7 nC

Consumer
IRF6645TRPBF

DirectFET SJ

100V

28 mOhm

25 A

14 nC

Consumer
IRF6644TRPBF

DirectFET MN

100V

10 mOhm

60 A

35 nC

Consumer
IRF6775MTRPBF

DirectFET MZ

150V

56 mOhm

28 A

25 nC

Consumer
IRF6785MTRPBF

DirectFET MZ

200V

85 mOhm

15 A

26 nC

Consumer
IRF6648TRPBF

DirectFET MN

60V

5.5 mOhm

86 A

36 nC

Consumer
IRF6668TRPBF

DirectFET MZ

80V

12 mOhm

55 A

22 nC

Consumer
IRF6646TRPBF

DirectFET MN

80V

7.6 mOhm

68 A

36 nC

Consumer
IRFB4212PBF

TO-220

100V

72.5 mOhm

18 A

15 nC

Industrial
IRFB4019PBF

TO-220

150V

80 mOhm

17 A

13 nC

Consumer
IRFB5615PBF

TO-220

150V

32 mOhm

35 A

26 nC

Industrial
IRFB4228PBF

TO-220

150V

12 mOhm

83 A

72 nC

Industrial
IRFB4020PBF

TO-220

200V

80 mOhm

18 A

18 nC

Consumer
IRFB4227PBF

TO-220

200V

19.7 mOhm

65 A

70 nC

Industrial
IRFB5620PBF

TO-220

200V

60 mOhm

25 A

25 nC

Industrial
IRFP4668PBF

TO-247

200V

8 mOhm

130 A

161 nC

Industrial
IRFB4229PBF

TO-220

250V

38 mOhm

46 A

72 nC

Industrial
IRFP4768PBF

TO-247

250V

14.5 mOhm

93 A

180 nC

Industrial

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

  • зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
  • зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
  • зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:

  • ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
  • ƟUB – напряжения базы UBE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

  • зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
  • область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

  • шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
  • шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

  • сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
  • штрихпунктирная ограничивающая линия –
  • UCE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
  • пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
КТ8170А 40 700 400 9 2,25 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126
КТ859А 40 800 800 10 3 1,5 150 ˃ 3,3 ˃ 10 0,35 / 3,3 / 0,35 TO-220AB
КТ841А/В 50 600/800 350 5 10 1,5 150 10 12…45 0,08 / 0,8 / 0,2 TO-3
КТ8118А 50 900 800 — 3 ˂ 2,0 150 ˃ 15 10…40 — TO-220
КТ8120А 60 600 450 5 8 1 150 20 ˃ 10 — / 2 / 0,2 TO-220
КТ840А/Б/В 60 900/750/800 400/350/375 5 6 0,6 150 8…15 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
КТ868А/Б 70 900/750 400/375 5 6 1,5 150 ˃ 8 10…100 — TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
3DD1910 40 700 400 9 2,5 1 150 5 15…30 1 / 5 / 0,8 TO-126A
3DD13005A7 40 800 400 9 3 0,6 150 5 15…35 1 / 5 / 1 TO-126F
WBR13005D1 40 700 400 9 4 1 150 4 10…40 — / 3,6 / 1,6 TO-126
BTN3A60T3 40 900 700 9 3 0,6 150 4 10…40 — TO-126
HLD133D 35 700 400 9 2 1 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
ST13007DFP 36 700 400 9 8 3 150 4 8…40 — / 2,2 / 0,15 TO-220FP
BUL310FP 36 1000 500 9 5 1,1 150 — 10 — / 1,8 / 0,5 TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR 30 600 400 9 2 0,85 150 — 5…40 — / 3 / 0,8 TO-126
BLD123D 30 600 400 9 2 0,9 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
KSE13003T 30 700 400 9 1,5 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-220
FJPE3305 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
KSH13005AF 30 700 400 9 4 1 150 4 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
MJE13005AF 30 800 400 10 5 1 150 4 8…35 0,15 / 5 / 0,8 TO-220IS
MJE13005F 30 700 400 9 4 1 150 4 10…35 0,8 / 4 / 0,9 TO-220IS
STD13005F/FC 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F-3L
STL128DFP 30 700 400 — 4 1,5 150 — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220FP
TS13005CI 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,7 / 3 / 0,5 ITO-220
TSC236CI 30 700 400 9 4 1,3 150 — 8…32 0,5 / 3 / 0,5 ITO-220
BUL128FP 31 700 400 9 4 1,5 150 — 10…45 — / 2,9 / 0,4 TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель PC * UCB UCE UEB IC TJ fT CC, pF hFE Корпус
TIP122 65 100 100 5 5 150 300 ≥ 1000 TO-220
КТ716А/Б 60 100/80 100/80 5 8/10 150 6 150 от 500 до 750 TO-220, TO-66
КТ8116А/Б 65 100 5 4 — 1000 TO-220
КТ8116А/Б 25 100 3 4 — 1000 DPAK
КТ8141А 60 100 100 8 7 — 750 TO-220
КТ8147А/Б 100 700/500 — 8 10 5 — 5 —
КТ8158В 125 100 100 5 12 5 — 2500 TO-218

Зарубежное производство

Модель PC * UCB UCE UEB IC TJ hFE Корпус
TIP122 65 100 100 5 5 150 ≥ 1000 TO-220
NTE261 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
NTE263 65 100 100 5 10 150 1000 TO-220
RCA122 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
SE9302 70 100 100 5 10 150 1000 TO-220
TIP102 80 100 100 5 8 150 1000 TO-220
TIP132 70 100 100 5 8 150 1000 TO-220
WW263 65 100 100 5 10 150 1000 TO-220
2N6045G 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220AB
2SD498 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220
3DA122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
3DA142T 80 100 100 5 10 150 1000 TO-220
3DD122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
BDW93C 80 100 100 5 12 150 15000 TO-220
CFD811 65 110 100 5 8 150 1000 TO-220FP
HEPS9151 65 100 100 5 8 150 1000 TO-220
HP102 80 100 100 5 8 150 1000 TO-220
HP122 65 100 100 5 5 150 1000 TO-220
HP142T/TS 80/70 100 100 5 10/8 150 1000 TO-220
MJE6045/T 75 100 100 5 8 150 1000 TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В

30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak

40 В

40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

55 В

55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak

75 В

75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak

100 В

100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

55 В

55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

75 В

75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak

100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В

30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40 В

40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

55 В

55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB

55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

75 В

75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC

100 В

100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB

100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

BF423S Datasheet (PDF)

9.1. bf421 bf423.pdf Size:119K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF421/DHigh Voltage TransistorsBF421PNP SiliconBF423COLLECTOR23BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbo

9.2. bf421l bf423l.pdf Size:47K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421L; BF423LPNP high-voltage transistors1999 Apr 21Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 18Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421L; BF423LFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V)1 base Available with a highe

 9.3. bf421 bf423.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

9.4. bf421 bf423 1.pdf Size:62K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2

 9.5. bf421 bf423 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF421; BF423PNP high voltage transistorsProduct specification 2004 Nov 10Supersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationPNP high voltage transistors BF421; BF423FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Class-B video output stages in

9.6. bf421 bf423.pdf Size:136K _siemens

PNP Silicon Transistors BF 421With High Reverse Voltage BF 423 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary types: BF 420, BF 422 (NPN)231Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)1 2 3BF 421 Q62702-F532 E C B TO-92BF 423 Q62702-F496Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBF 421 BF 423Collector-e

9.7. bf421 bf423.pdf Size:105K _onsemi

BF421, BF423High Voltage TransistorsPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantMAXIMUM RATINGSRating Symbol BF421 BF423 UnitTO-92Collector-Emitter Voltage VCEO -300 -250 VdcCASE 29STYLE 14Collector-Base Voltage VCBO -300 -250 Vdc1122Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc33STRAIGHT LEAD BENT

9.8. bf421 bf423.pdf Size:144K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE BF421VIDEO TRANSISTORS BF423TO-92Plastic PackageHigh Voltage Video AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 423 421 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 250 300 VVCBOCollector Base Voltage 250 300

9.9. bf423.pdf Size:47K _kec

SEMICONDUCTOR BF423TECHNICAL DATA SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPEHIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION. COLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATIONS.B CFEATURES High Voltage : VCEO>-300VComplementary to BF422.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_

9.10. hbf423.pdf Size:44K _hsmc

Spec. No. : HE6403HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.18Revised Date : 2003.06.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBF423PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionVideo B-class Power stages in TV-receiversTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature …………………………………………………………………………………

9.11. bf423a3.pdf Size:219K _cystek

Spec. No. : C235A3 Issued Date : 2004.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.01 Page No. : 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BF423A3Description PNP high voltage transistors in a TO-92 plastic package. Complementary to BF422A3 Pb-free lead plating package Features Low feedback capacitance. Applications Class-B video output stages

Похожие записи:

Как выбрать стиральную машину: отзывы, параметры, фирмы Схема подключения узо в однофазной сети Default ThumbnailОбзор светодиодных автоламп p21w и p21/5w Электросхема ваз–21213 нива ваз 21213, 21214, 2131 lada 4×4 Что и как нужно делать, чтобы правильно поменять аккумулятор на машине Лучшие лампы для опель астра h: производители, маркировка, таблица используемых