Bt1690 транзистор и его аналог

Модификации и группы

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Группы по hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 ˃ 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92T
13001-2 0,8 700 400 9 0,45 150 ˃ 5 8…30 0,7 / 2,0 / 0,6 TO-92T
13001-A 0,8 600 400 9 0,5 150 ˃5 8…30 0,7 / 2,5 / 0,6 TO-92T
3DD13001 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 5…26 Группы A/B — / 1,5 / 0,3 TO-92
3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 ˃5 15…30 0,8 / 1 / 1 TO-92
3DD13001P 0,6 600 400 9 0,17 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
3DD13001P1 0,6 600 400 9 0,2 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
ALJ13001 1 600 400 7 0,2 150 ˃8 10…40 10 групп без обозначения — / 1,5 / 0,3 TO-92
CD13001 0,9 500 400 9 0,5 150 6 групп A/B/C/…/F — / 1,5 / 0,3 TO-92
CS13001 0,75 700 480 9 0,2 150 8…30 4 группы без обозначения TO-92
HMJE13001 1 600 400 6 0,3 150 8…36 TO-92
MJ13001A 0,625 500 400 8 0,5 150 ˃10 8…40 TO-92
MJE13001 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 10…70 12 групп A/B/C…/L TO-92, SOT-89
MJE13001A1 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 TO-92
MJE13001A2 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 TO-92L
MJE13001AH 1 700 480 9 0,3 150 5…30 — / 2 / 0,8 TO-92(S)
MJE13001B1 1 600 400 9 0,2 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001C1 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001C2 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92L
MJE13001DE1 1 600 400 9 0,5 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,8 TO-92
MJE13001E1 1 600 400 9 0,45 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001E2 1 600 400 9 0,45 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92L
MJE13001H 1 700 480 9 0,18 150 5…30 TO-92(S)
MJE13001P 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 5…70 12 групп A/B/C…/L — / 1,5 / 0,3 TO-92
SBN13001 0,6 600 400 9 0.5 150 10…40 — / 2 / 0,8 TO-92
SXW13001 9 600 400 0.5 8…70 TO-92
SXW13001 10 600 400 0.5 10…40 TO-126
XW13001 7 600 400 0,25 8…70 TO-92
Исполнение SMD
MJD13001 0,3 700 400 8 0,2 150 ˃8 10…40 6 групп A/B/C/…/F — / 2,4 / 0,9 SOT-23
MJE13001A0 0,5 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 SOT-23
MJE13001AT 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 SOT-89
MJE13001C0 0,65 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 SOT-23
MJE13001CT 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 SOT-89

Примечание. Маркировка:

  • MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
  • MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А 8*
КТ972Б 8*
КТ972В 8*
КТ972Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А ≥200
КТ972Б ≥200
КТ972В ≥200
КТ972Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 60*
КТ972Б 45*
КТ972В 60*
КТ972Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А 5,00
КТ972Б 5,00
КТ972В 5,00
КТ972Г 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А 4*
КТ972Б 4*
КТ972В 2,00
КТ972Г 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк, с*12э КТ972А ≤3
КТ972Б ≤3
КТ972В ≤3
КТ972Г ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) КТ972А ≤200*
КТ972Б ≤200*
КТ972В ≤200*
КТ972Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Номер произв BT169
Описание Thyristor logic level
Производители NXP Semiconductors
логотип  

1Page

No Preview Available !

BT169 series
Thyristors logic level
Rev. 5 — 30 September 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Passivated, sensitive gate thyristors in a SOT54 plastic package.
1.2 Features and benefits

 Designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and

other low power gate trigger circuits.
1.3 Applications

 General purpose switching and phase control applications.

1.4 Quick reference data

 VDRM, VRRM  200 V (BT169B)

 VDRM, VRRM  400 V (BT169D)

 VDRM, VRRM  600 V (BT169G)

 IT(RMS)  0.8 A

 IT(AV)  0.5 A

 ITSM  8 A

2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
Discrete pinning
Description
anode (a)
gate (g)
cathode (k)
Simplified outline
Symbol
AK
G
sym037
321
SOT54 (TO-92)

No Preview Available !

NXP Semiconductors
BT169 series
Thyristor logic level
3. Ordering information
Table 2. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
BT169B

plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
BT169D
BT169G
4. Limiting values
Version
SOT54
Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM, VRRM

repetitive peak off-state voltages
BT169B
BT169D
BT169G

IT(AV)

average on-state current
half sine wave;

Tlead  83 C;

see Figure 1

IT(RMS)

RMS on-state current
all conduction angles;

see Figure 4 and 5

ITSM non-repetitive peak on-state current half sine wave;

Tj = 25 C prior to

surge;

see Figure 2 and 3

t = 10 ms
t = 8.3 ms

I2t I2t for fusing

t = 10 ms

dIT/dt

IGM

VGM

VRGM

PGM

PG(AV)

Tstg

Tj

repetitive rate of rise of on-state
current after triggering
peak gate current
peak gate voltage
peak reverse gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature

ITM = 2 A; IG = 10 mA;

dIG/dt = 100 mA/s

over any 20 ms period
Min











40


Max Unit
200 V
400 V
600 V
0.5 A
0.8 A
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
+150
125
A
A

A2s

A/s

A
V
V
W
W

C

C

Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state.

The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
2 of 13

No Preview Available !

NXP Semiconductors

BT169 series
Thyristor logic level
0.8

Ptot

(W)
0.6
1.9
2.2
a=
1.57

001aab446 77

Tlead(max)

(°C)

89
0.4
0.2

2.8
4
0.1 0.2 0.3
conduction form
angle factor
(degrees) a
30 4
60 2.8
90 2.2
120 1.9
180 1.57
0.4 0.5
α

IT(AV) (A)

101
113
125
0.6

a = form factor = IT(RMS)/IT(AV).

Fig 1. Total power dissipation as a function of average on-state current; maximum values.
10

ITSM

(A)
8
001aab499
6
4

IT ITSM

2

tp t

Tj(init) = 25 °C max

1 10 102 103

number of cycles
f = 50 Hz.
Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values.
BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
3 of 13

Всего страниц 13 Pages
Скачать PDF