Даташит c2335 pdf ( datasheet )

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE(sat) при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE(ON) при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS

Datasheet Download — NEC

Основные электрические параметры

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Характерные особенности

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1 В при I_C = 3 А.
• Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
• Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_{CEX (sus)1} ≥ 450 В I_C = 3 А.

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Поиск транзистора (аналога) по параметрам

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Всего результатов: 76

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

• Тип проводимости транзистора NPN;
• Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
• Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
• Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
• Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
• Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
• Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
• Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
• Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
• Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
• Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
• Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

• Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
• Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
• Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
• Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

• Реле;
• Светодиоды;
• Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

2SC2335Y Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

• t_on – время включения;
• t_stg – время сохранения импульса тока;
• t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

• U_CC – напряжение питания.
• R_L – сопротивление нагрузки.
• I_C – ток коллектора.
• I_B1 и I_B2 – токи базы в разные периоды времени.
• U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

SI2335DS Datasheet (PDF)

0.1. si2335ds.pdf Size:181K _vishay

Si2335DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.051 at VGS = — 4.5 V — 4.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.070 at VGS = — 2.5 V — 12 — 3.50.106 at VGS = — 1.8 V — 3.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2335DS (E5)**Marking CodeOrde

0.2. si2335ds-3.pdf Size:1625K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features0.4-0.13 VDS (V) =-12V ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V)1.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drai

 0.3. si2335ds.pdf Size:1573K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features 2.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)1 2+0.10.95-0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V) 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Abso

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

Модификации и группы транзистора C3198

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

• непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
• токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
• токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики транзистора S9013. При их превышении транзистор выйдет из строя. Они были измерены при температуре +25°С и представлены ниже в списке:

• напряжение К-Б V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
• напряжение К-Э V_CEO (U_{кэ max}) = 25 В;
• напряжение Э-Б V_EBO (U_{эб max}) = 5 В;
• постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = 500 мА;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе:
• для корпуса ТО-92 Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
• для корпуса SOT-23 Р_С (Р_{к max}) = 300 мВт
• диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150°С;
• максимальная температура кристалла T_j = 150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров S9013. Они также важны, так как от них тоже зависят возможности транзистора. Их тестирование проводилось при температуре +25°С. Остальные параметры измерения можно найти в колонке «Условия измерения».

Кроме этого, производители дополнительно делят транзисторы S9013 на семь классов, в зависимости от статического к-та усиление по току (h_fe):

1. D — h_fe от 64 до 91;
2. E — h_fe от 78 до 112;
3. F — h_fe от 96 до 135;
4. G — h_fe от 112 до 166;
5. H — h_fe от 144 до 202;
6. I — h_fe от 190 до 300;
7. J — h_fe от 300 до 400.

Электрические характеристики

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Похожие записи:

Электрика на даче и в частном доме Поликлиника № 4 Как подключить газовую плиту с электрической духовкой самостоятельно? Чем опасна контрольная лампа и как происходит проверка тока ею Сварка угольными электродами своими руками Как сделать расчет освещения разного типа для производственных помещений