2sc2655 datasheet, equivalent, cross reference search

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

  • 2SC1008;
  • KSC1008;
  • KSP42;
  • KSP43;
  • MPSA42;
  • MPSA43;
  • MPSW05;
  • ZTX457.

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Электрические характеристики

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн ≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)1 IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)2 IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 400 В, IE = 0 ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICER UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C ≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА ICEX1 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5В ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICEX2 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5 В, Tc = 125°C ≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 5,0 В, IC = 0 ≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А 20….80
hFE (2) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А 20….80
hFE (3) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А ≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс ton UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, RL = 50 Ом. ≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс tstg ≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс tf ≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация R O Y
hFE2 20….40 30….60 40….80

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Временные параметры Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс TO-3
КТ841А 50 600 400 5 10 150 10 10 ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс TO-3
2Т842А 50 300 300 5 5 150 20 15 ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс TO-3
КТ847А 125 650 8 15 150 ˃ 15 ˃ 8 tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс TO-3
КТ858А 60 400 400 6 7 150 ˃ 10 tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс TO-220
2Т862 50 600 400 5 10 150 20 12…50 ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс TO-3
КТ812А 50 400 400 7 8 150 ˃ 3 tf = 0,2…1,3 мкс TO-3
КТ8126А1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…40 ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс TO-220
КТ8164А 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 10…60 ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс TO-220

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ hFE Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 TO-220
KSC2334 40 150 100 7 7 150 20…240 TO-220C
2SC2502 50 500 400 7 8 150 ˃ 15 TO-220
TT2194 50 500 400 7 12 150 20 TO-220
WBP3308 45 900 500 7 7 150 20 TO-220
2SC3038 40 500 400 7 7 150 50 TO-220
2SC3039 50 500 400 7 7 150 30 TO-220
2SC3170 40 500 7 150 25 TO-220
2SC3626 40 400 8 55 TO-220
2SC4055 60 600 450 7 8 180 100 TO-220
2SC4106 M/N 50 500 400 7 7 175 60 TO-220
2SC4107 M/N 60 500 400 7 10 150 20/60 TO-220
2SC4274 40 500 400 10 150 40 TO-220
2SC4458 L 40 900 500 9 8 150 25 TO-220F
2SC4559 40 500 400 7 175 150 TO-220
2SD1162 40 500 10 10 150 400 TO-220
2SD1349 50 500 7 150 150 TO-220
2SD1533 45 500 7 150 800 TO-220
2SD1710A 50 900 500 9 8 150 25 TO-220
3DK3039 50 500 400 7 7 175 25 TO-220, TO-276AB
MJ10012T 65 600 400 15 200 200 TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC945P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

2SC945P
Datasheet (PDF)

8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec

8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733

 8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V

8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

2SK2655-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK2655-01R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 120
ns

Выходная емкость (Cd): 180
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.48
Ohm

Тип корпуса:

2SK2655-01R
Datasheet (PDF)

0.1. 2sk2655-01r.pdf Size:291K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2655-01RFAP-IIS Series 900V 2 8A 100W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristi

8.1. 2sk2659.pdf Size:30K _panasonic

Power F-MOS FETs 2SK26592SK2659Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm5.0 0.1 Features10.0 0.2 1.0 Avalanche energy capability guaranteed High-speed switching90 Low ON-resistance No secondary breakdown 1.2 0.1 C1.02.25 0.2 Low-voltage drive0.65 0.10.35 0.1 1.05 0.1 Radial taping possible0.55 0.10.55 0.1 ApplicationsNon-contact relayNo

8.2. 2sk2653-01r.pdf Size:304K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2653-01RFAP-IIS Series 900V 2,5 6A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

 8.3. 2sk2654-01.pdf Size:267K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2654-01FAP-IIS Series 900V 2 8A 150W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristic

8.4. 2sk2652-01.pdf Size:312K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2652-01FAP-IIS Series 900V 2,5 6A 125W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

 8.5. 2sk2651-01mr.pdf Size:327K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2651-01MRFAP-IIS Series 900V 2,5 6A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

8.6. 2sk2654.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2654FEATURESDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

8.7. 2sk2652.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2652FEATURESDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies andgeneral purpose applications.

Другие MOSFET… 2SJ598-Z
, 2SJ557
, 2SK3876-01R
, 2SK3025
, 2SK1217-01R
, 2SK1375
, 2SK1904
, 2SK2352
, IRFZ44N
, 2SK2872-01MR
, 2SK3430
, 2SK3430-S
, 2SK3430-Z
, 2SK3523-01R
, 2SK3525-01MR
, 2SK3637
, 2SK4096LS
.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

2SC2655Y Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation: PC = 900 mW High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

7.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655L-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655L-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temper

 7.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655L-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655L-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temper

7.4. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperat

 7.5. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperat

7.6. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655 NPN SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC2655L-x-AE3-R 2SC2655G-x-AE3-R SOT-23 E B C

7.7. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

2SC2655 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Low saturation voltageVCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) AD High speed switching timetstg=1s(Typ.) B Complementary to 2SA1020 KEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SC2655-O

7.8. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

2SC2655 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 7.800 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) 8.200 Complementary to 2SA1020 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Symbol Units0.55013.800VCBO Collector-Base Vo

7.9. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

2SC2655 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD1 22.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.800 Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 6.200 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) Complementary to 2SA1020 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter Symbol Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltag

7.10. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

2SC2655NPN General Purpose TransistorsP b Lead(Pb)-Free1231.EMITTER3.BASE2.COLLECTORTO-92MOD ELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25 unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO VIc=100A,IE=0 50 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO VIc=10mA,IB=0 50 Emitter-base breakdown voltag

7.11. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2655DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow saturation voltageComplementary to 2SA1020100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsPower switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Характерные особенности

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1 В при IC = 3 А.
  • Высокая скорость переключений: время спадания импульса tf ≤ 1 мкс при IC = 3 А.
  • Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): UCEX (sus)1 ≥ 450 В IC = 3 А.
Характеристика Обозначение Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В VCBO 500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В VCEO 400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В VEBO 7
Ток коллектора постоянный, А IC 7
Ток коллектора импульсный, А ICP ٭ 15
Ток базы постоянный, А IB 3,5
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт PC 1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт PC 40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С Tj 150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg -55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%