Какие числа делятся на 4242? делители числа 4242. число 4242

Оглавление

Графические данные
Модификации и группы транзисторов TIP42C
Биполярный транзистор 2SC4237 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
2SC4237 Datasheet (PDF)
Электрические характеристики
Характерные особенности
Телефон горячей линии ПФР
2SC4237 Datasheet (PDF)
Временные параметры
Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
Аналоги
Электрические характеристики
Отечественные и импортные аналоги
Запишите числа которые в сумме дают число 4242.
Графические иллюстрации характеристик
Корпус и цоколевка
Графические иллюстрации характеристик

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
зависимость напряжения насыщения U_BE(sat)от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B₁ = I_B₂.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
штрихпунктирная ограничивающая линия –
U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	P_C, T_C=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Биполярный транзистор 2SC4237 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4237

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Корпус транзистора:

2SC4237
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc4237.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4237DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBOV C

8.1. 2sc4238.pdf Size:63K _panasonic

8.2. 2sc4233.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4233DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.3. 2sc4234.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4234DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.4. 2sc4236.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4236DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER V

8.5. 2sc4230.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4230DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RAT

8.6. 2sc4232.pdf Size:190K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4232DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.7. 2sc4235.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4235DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALU

8.8. 2sc4231.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4231DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы… 2SC423
, 2SC4230
, 2SC4231
, 2SC4232
, 2SC4233
, 2SC4234
, 2SC4235
, 2SC4236
, 2SC2625
, 2SC4238
, 2SC4239
, 2SC424
, 2SC4240
, 2SC4241
, 2SC4242
, 2SC4244
, 2SC4245
.

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Пробивное напряжение коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 1,0 мА, I_E = 0	˃ 500
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 5,0 мА, R_BE = ∞	˃ 400
Пробивное напряжение эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 1,0 мА, I_C = 0	˃ 7,0
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,3 А, I_B2 = -1,2 А,	˃ 400
L = 1 мГн, с введенными ограничениями
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	˂ 10
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	˂ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 1,5
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,8 А	15…50
h_FE(2)	U_CE = 5,0 В, I_C = 4,0 А	≥ 10
h_FE(3)	U_CE = 5,0 В, I_C = 10,0 мА	≥ 10
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц	f_T	U_CE = 10,0 В, I_C = 0,8 А	20
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ	C_ob	U_CB = 10 В, f = 1 МГц	80
Время переключения, мкс	Время нарастания	t_on	I_C = 5 А, I_B1 = 1,0 А, I_B2 = -2 А, R_L = 40 Ом, U_CC = 200 В См. схему измерений на Рис. 1.	˂ 0,5
Время сохранения	t_s	˂ 2,5
Время спадания	t_f	˂ 0,3

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы	L	M	N
Диапазон значений h_FE	15…30	20…40	30…50

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C.

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 1 В при I_C = 3 А.
Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_CEX₍_sus₎₁≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP٭	15
Ток базы постоянный, А	I_B	3,5
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,5
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Телефон горячей линии ПФР

Для взаимодействия с заявителями Пенсионный фонд использует большое количество различных средств, в перечень которых также входит и горячая линия. Сотрудники службы поддержки, работающие по ведомственному каналу, проводят консультации по поводу предоставляемых услуг.

Сегодня специалисты горячей линии принимают звонки на следующие номера:

8(800)-600-44-44 – основной канал для связи с заявителями, работающий бесплатно, в круглосуточном формате;
8(800)-510-55-55 – еще один основной информационный номер, дозвонившись по которому можно получить наиболее полную консультацию;
8(495)-987-09-09 – номер телефона, работающий для звонков с территории Москвы и Московской области.
8(495)-986-2612 – телефон, предназначенный для взаимодействия с сотрудниками, работающими в отделе пенсионного страхования.

2SC4237 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc4237.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

8.1. 2sc4238.pdf Size:63K _panasonic

8.2. 2sc4233.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

8.3. 2sc4234.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

8.4. 2sc4236.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

8.5. 2sc4230.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

8.6. 2sc4232.pdf Size:190K _inchange_semiconductor

8.7. 2sc4235.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

8.8. 2sc4231.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

t_on – время включения;
t_stg – время сохранения импульса тока;
t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

U_CC – напряжение питания.
R_L – сопротивление нагрузки.
I_C – ток коллектора.
I_B₁ и I_B₂ – токи базы в разные периоды времени.
U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	10…80	t_on˂ 1 мкс t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	t_on˂ 0,2 мкс t_stg˂ 3,5 мкс t_f ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	t_on= 0,08 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	t_on= 0,12 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 15	˃ 8	t_stg= 3,0 мкс t_f = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	t_on˂ 0,4 мкс t_stg˂ 1,0 мкс t_f ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	t_f = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	t_on= 1,6 мкс t_stg= 3,0 мкс t_f = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	t_on= 0,8 мкс t_stg= 0,9 мкс t_f = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	h_FE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T	Корпус	Цоколевка*
S9014	45	100	450	60-1000	150	ТО-92	эбк
200	SOT-23	эбк
Импорт
BC547	45	100	625	110 – 800	150	ТО-92	кбэ
MPSW06	60	500	1000	от 80	50	ТО-92	эбк
BC550	45	100	500	420-800	300	ТО-92	кбэ
MPSA43	200	500	625	от 25	от 50	ТО-92	эбк
2SD1938	20	300	200	500 –2500	80	SOT-346	эбк
9014SLT1	45	100	300	300	300	SOT-23	эбк
2N7051	100	1500	625	от 1000	200	ТО-92	экб
Российское производство
КТ3102	20-50	100	250	100 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ
КТ6111	45	100	450	60 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение V_CEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус	А (мм)	B (мм)	S (мм)	H (мм)
SOT-23	2,9	1,3	2,4	0,95
SOT-346	2,9	1,6	2,8	1,1

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)1	I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)2	I_C = 6,0 А, I_B1 = 2,0 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CER	U_CE = 400 В, R_BE = 51 Ом, T_c= 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	I_CEX1	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEX2	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5 В, T_c= 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat) ٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,1 А	20….80
h_FE(2) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	20….80
h_FE (3) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	t_on	U_CC = 150 В, I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, R_L = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	t_stg	≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	t_f	≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE₂ на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
h_FE2	20….40	30….60	40….80

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Запишите числа которые в сумме дают число 4242.

Задача: Данно число 4242.Какие 2(два) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 211 + 4031 = 4242

2) 1878 + 2364 = 4242

3) 1022 + 3220 = 4242

4) 525 + 3717 = 4242

5) 508 + 3734 = 4242

Какие 3(три) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 1281 + 1206 + 1755 = 4242

2) 65 + 375 + 3802 = 4242

3) 980 + 484 + 2778 = 4242

4) 8 + 450 + 3784 = 4242

5) 320 + 905 + 3017 = 4242

Какие 4(четыре) числа дают в сумме число 4242?Решение:

1) 329 + 673 + 227 + 3013 = 4242

2) 26 + 317 + 1699 + 2200 = 4242

3) 193 + 371 + 1368 + 2310 = 4242

4) 889 + 259 + 1164 + 1930 = 4242

5) 626 + 1198 + 670 + 1748 = 4242

Какие 5(пять) чисел дают в сумме число 4242?Решение:

1) 198 + 555 + 664 + 968 + 1857 = 4242

2) 163 + 277 + 307 + 1275 + 2220 = 4242

3) 726 + 62 + 1005 + 854 + 1595 = 4242

4) 418 + 190 + 1102 + 231 + 2301 = 4242

5) 429 + 518 + 468 + 438 + 2389 = 4242

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ и эмиттер-база U_BE₍_sat₎от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on₎. См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX_(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

На какие числа делится число 4242

Графические данные

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Биполярный транзистор 2SC4237 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC4237 Datasheet (PDF)

Электрические характеристики

Характерные особенности

Телефон горячей линии ПФР

2SC4237 Datasheet (PDF)

Временные параметры

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Аналоги

Электрические характеристики

Отечественные и импортные аналоги

Запишите числа которые в сумме дают число 4242.

Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Графические иллюстрации характеристик

Похожие записи:

2SC4237
Datasheet (PDF)