Д815

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

  • Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
  • Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
  • h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкбо — обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
  • Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Скачать datasheet КТ815

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип Структура PК max, PК* т. max, мВт fгр, МГц UКБО max, UКЭR*max, В UЭБО max, В IК max, мА IКБО, мкА h21э, h21Э* CК, пФ rКЭ нас, Ом rб, Ом τк, пс
KT315A1 n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1 n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30…250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315И1 n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150…350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315А n-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Б n-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315В n-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Г n-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Д n-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Е n-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Ж n-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30…250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315И n-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Н n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Р n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.