Транзистор irf3205: характеристики, аналоги, распиновки и datasheet

IRF3205S Datasheet (PDF)

0.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

0.2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

 0.3. irf3205spbf irf3205lpbf.pdf Size:280K _infineon

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

0.4. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBFDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMU

 0.5. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205SDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

IRF3205ZPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 110
nC

Время нарастания (tr): 95
ns

Выходная емкость (Cd): 550
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065
Ohm

Тип корпуса:

IRF3205ZPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

0.2. irf3205zpbf irf3205zspbf irf3205zlpbf.pdf Size:379K _infineon

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

 6.1. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

6.2. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

 6.3. irf3205z irf3205zs irf3205zl.pdf Size:303K _infineon

PD — 94653BIRF3205ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZSIRF3205ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5mGDescriptionID = 75ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOS

6.4. auirf3205z auirf3205zs.pdf Size:707K _infineon

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

 6.5. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

6.6. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

HRF3205 Datasheet (PDF)

0.1. hrf3205.pdf Size:189K _fairchild_semi

HRF3205, HRF3205SData Sheet December 2001100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power FeaturesMOSFETs 100A, 55V (See Note)These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

0.2. hrf3205.pdf Size:259K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Маркировка

Основные символы в названии транзистора IRF3205:

  • IR – аббревиатура производителя International Rectifier;
  • F – значит, что перед нами полевой транзистор.

Данная модель транзистора выпускается с начала 2000х годов. А в 2011 году появилась новая версия, в названии которой в конце начали добавлять символ «z». Стоит отметить, что новая версия может встречаться в трех разных корпусах.

Маркировка Внешний вид Тип корпуса и предназначение
IRF3205Z TO-220AB Классичекий корпус. Навесной монтаж или крепление к плате с помощью отверстия.
IRF3205ZS D2Pak Для поверхностного монтажа на плату.
IRF3205ZL TO-262 Для монтажа и пайки к охладителю.

Кроме этого, часто, в конце названия добавляют символы PbF («plumbum free»), что означает «без свинца».

ШИМ регулятор мощности.

Устройство позволяет регулировать обороты асинхронного двигателя вентилятора, рассчитанного на напряжение 220В, в пределах от 10 до 90% от номинальной. Устройство представляет собой ШИМ регулятор на основе электронного ключа. От длительности открытого состояния ключа VT1-VT2 зависит напряжение на электродвигателе, а, следовательно, проскальзывание ротора. Принципиальная электрическая схема регулятора представлена на рис.1. Широтноимпульсный регулятор выполнен на микросхеме DA1. Генератор выполнен на микросхеме IR2153, представляющий собой драйвер мощных полевых транзисторов с изолированным затвором. Микросхема содержит внутренний генератор, аналогичный генератору на таймере серии 555. Особенностью этой микросхемы является наличие интегрированного выходного драйвера плавающего уровня с максимальным рабочим напряжением 600В (у нас он не используется). Внутренний параллельный стабилизатор предотвращает превышение питающего напряжения в 15В, а блокировка по пониженному напряжению выключает оба выхода управления затворами полевых транзисторов, когда напряжение питания падает ниже 9В. Микросхема имеет два управляющих выхода (выв.5,7). Частота внутреннего генератора зависит от номиналов элементов времязадающей цепи R1C1 и равна 0,7кГц. Резистор R3 ограничивает ток затворов, и предохраняют выходные каскады от защелкивания. Питание микросхемы осуществляется через цепь R4,VD4-5,C2. С выхода микросхемы импульсы через резистор R3 поступают на затворы транзисторов VT1-VT2 электронного ключа. Работа ключа описана в . Электронный ключ коммутирует ток нагрузки с частотой ШИМ. Диод VD3 защищает транзисторы электронного ключа от выбросов напряжения. Регулятором можно регулировать и другую нагрузку (нагревательные элементы- плиты, лампы накаливания, паяльники). На рис.2 представлена печатная плата регулятора без силовых транзисторов, а на рис.3 представлена печатная плата с силовыми транзисторами. На каждый 1ватт рассеиваемой мощности транзисторам необходимо 10кв.см площади радиатора. Для обдува радиаторов можно поставить вентилятор от компьютера и запитать его от конденсатора С2. Транзисторы IRF840 коммутируют ток 8А, напряжение 500В. Для более мощной нагрузки необходимо выбрать соответствующие транзисторы. В принципе можно отказаться от диода VD4, поскольку параллельно ему в самой микросхеме DA1 стоит стабилитрон на такое же напряжение стабилизации (просто я не знаю его максимальный ток стабилизации).

Datasheet Download — Thinki Semiconductor

Номер произв IRF3205
Описание N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor
Производители Thinki Semiconductor
логотип  

1Page

No Preview Available !

IRF3205

Pb Free Plating Product
IRF3205
Pb
N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor
General Description
The IRF3205 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications. Rugged

EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM,

load switching .
Features

● VDS=55V; ID=105A@ VGS=10V;

RDS(ON)<6.0mΩ @ VGS=10V

● Ultra Low On-Resistance

● High UIS and UIS 100% Test

Application

● Hard Switched and High Frequency Circuits

● Uninterruptible Power Supply

● Inverter Application

G DS

TO-220CB Top View
Schematic Diagram

VDS = 55 V

ID = 105 A

RDS(ON) = 5.0 mΩ

Table 1. Absolute Maximum Ratings (TA=25℃)

Symbol
Parameter

VDS Drain-Source Voltage (VGS=0V)

VGS Gate-Source Voltage (VDS=0V)

ID (DC)

ID (DC)

IDM (pluse)

Drain Current (DC) at Tc=25℃

Drain Current (DC) at Tc=100℃

Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)

dv/dt
Peak Diode Recovery Voltage

PD Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

Derating Factor

EAS Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)

TJ,TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2.EAS condition:TJ=25℃,VDD=40V,VBGB=10V,RG=25Ω

Value
55

±25

105
100
420
30
139
0.926
625
-55 To 175
Unit
V
V
A
A
A
V/ns
W

W/℃

mJ

Rev.05
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 1/5
http://www.thinkisemi.com/

No Preview Available !

IRF3205

Table 2. Thermal Characteristic
Symbol
Parameter

RJC

Thermal Resistance,Junction-to-Case
Value
1.08
Unit

℃/W

Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Symbol
Parameter
Conditions

Min Typ Max Unit
On/Off States

BVDSS

IDSS

IDSS

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)

Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)

VGS=0V ID=250μA

VDS=55V,VGS=0V

VDS=55V,VGS=0V

55
V
1 μA
1 μA

IGSS Gate-Body Leakage Current

VGS(th) Gate Threshold Voltage

RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance

Dynamic Characteristics

gFS Forward Transconductance

Ciss Input Capacitance

Coss Output Capacitance

Crss Reverse Transfer Capacitance

Qg Total Gate Charge

Qgs Gate-Source Charge

Qgd Gate-Drain Charge

Switching Times

VGS=±20V,VDS=0V

VDS=VGS,ID=250μA

VGS=10V, ID=40A

VDS=25V,ID=40A

VDS=25V,VGS=0V,

f=1.0MHz

VDS=30V,ID=30A,

VGS=10V

±100 nA
2 4V
5.0 6.0 mΩ
25
5905
905
548
94
18
25
S
PF
PF
PF
nC
nC
nC

td(on) Turn-on Delay Time

tr Turn-on Rise Time

td(off)

Turn-Off Delay Time

tf Turn-Off Fall Time

Source-Drain Diode Characteristics

VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω

VGS=10V,RG=2.5Ω

15 nS
18 nS
31 nS
38 nS

ISD Source-drain Current(Body Diode)

105 A

ISDM Pulsed Source-Drain Current(Body Diode)

VSD Forward On Voltage(Note 1)

trr Reverse Recovery Time(Note 1)

Qrr Reverse Recovery Charge(Note 1)

TJ=25℃,ISD=40A,VGS=0V

TJ=25℃,IF=75A

di/dt=100A/μs
420
0.87 0.95
56
113
A
V
nS
nC

ton Forward Turn-on Time

Intrinsic turn-on time is negligible(turn-on is dominated by LS+LD)

Notes 1.Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 1.5%, RG=25Ω, Starting TJ=25℃

Rev.05
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 2/5
http://www.thinkisemi.com/

No Preview Available !

IRF3205
Test Circuit

1) EAS Test Circuits

2) Gate Charge Test Circuit:

3) Switch Time Test Circuit:

Rev.05
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.

Page 3/5
http://www.thinkisemi.com/

Всего страниц 5 Pages
Скачать PDF

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

  • Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить – это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
  • Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
  • Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
    • IRF3704ZPBF
    • IRLB8743PBF
    • IRL2203NPBF
    • IRLB8748PBF
    • IRL8113PBF

IRFI3205 Datasheet (PDF)

0.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374BIRFI3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.008 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 64ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme

0.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040AIRFI3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Isolated PackageVDSS = 55Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.008Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 64ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni

 0.3. irfi3205pbf.pdf Size:505K _infineon

IRFI3205PbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Isolated Package VDSS 55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) 0.008 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated ID 64A Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techn

0.4. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF3205Z Datasheet (PDF)

0.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

0.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

 0.3. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

0.4. irf3205zpbf irf3205zspbf irf3205zlpbf.pdf Size:379K _infineon

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

 0.5. irf3205z irf3205zs irf3205zl.pdf Size:303K _infineon

PD — 94653BIRF3205ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZSIRF3205ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5mGDescriptionID = 75ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOS

0.6. auirf3205z auirf3205zs.pdf Size:707K _infineon

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

0.7. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

0.8. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

2SK3205 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk3205.pdf Size:196K _toshiba

2SK3205 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L —MOSV) 2SK3205 Switching Regulator Applications DC-DC Converter, and Unit: mmMotor Drive Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 150 V)

8.1. rej03g1090 2sk3209ds.pdf Size:66K _renesas

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

8.2. 2sk3209.pdf Size:53K _renesas

2SK3209 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1090-0300 (Previous: ADE-208-759A) Target Specification Rev.3.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS = 40 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0003AD-A(Package name: TO-220FM)DG1. Gate2. Drain

 8.3. 2sk319 2sk320.pdf Size:51K _hitachi

8.4. 2sk3203l 2sk3203s.pdf Size:54K _hitachi

2SK3203(L), 2SK3203(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-1384A (Z)2nd. EditionJan. 2001Features Low on-resistanceRDS(on) =11m typ. Low drive current 5V gate drive device can be driven from 5V sourceOutlineLDPAK4 4D1231G 231. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK3203(L), 2SK3203(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

 8.5. 2sk3203.pdf Size:58K _hitachi

2SK3203(L), 2SK3203(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-1384A (Z)2nd. EditionJan. 2001Features Low on-resistanceRDS(on) =11m typ. Low drive current 5V gate drive device can be driven from 5V sourceOutlineLDPAK4 4D1231G 231. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK3203(L), 2SK3203(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

Характеристики IRF3205

  • Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C – 110А
  • Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C – 80А
  • Максимальный ток при импульсном режиме – 390А
  • Максимальное напряжение на канале сток-исток – 55В
  • Напряжение для открытия – 2-4В
  • Максимальное напряжение на затворе – ±20В
  • Сопротивление канала сток-исток – 8 мОм
  • Емкость затвора – ±3200 пФ
  • Время открытия – ±14 нс
  • Время закрытия – ±50 нс
  • Максимальная мощность рассеивания – 200 Вт
  • Диапазон рабочих температур – -55-175C
  • Температура пайки (до 10 секунд) – 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер – это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

IRF3205SPBF Datasheet (PDF)

0.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

0.2. irf3205spbf irf3205lpbf.pdf Size:280K _infineon

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

 6.1. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

6.2. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBFDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMU

 6.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205SDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Схема ШИМ на 12 В для ламп

Напряжение от трансформатора выпрямляется мостом на 50 А, установленным на радиаторе. Подается оно далее на стабилизатор 8 В, а затем в схему управления. Устройство должно было работать с несколькими галогенками 12 В 50 Вт.

Кстати, вы можете хорошо уменьшить нагрев транзисторов снизив частоту коммутации — на это стоит обратить внимание

При полной яркости будет ток в нагрузке около 25 А

Так что уделите особое внимание винтовым соединительным разъемам. Кабели сечением 1,5 мм2 тоже недостаточны для такого большого тока

Конечно, затворы лучше переключать напряжением около 10 — 12 В (не более 15 В для безопасности МОП-транзисторов), чем 6 В, хотя бы для того чтобы быть уверенным в их насыщении во включенном состоянии. А более высокое напряжение также означает более быструю перезагрузку затворов, что приводит к более короткому переходному времени, а это снижает потери мощности на них. Если они не насыщаются, то тепло, генерируемое на них с высокой рабочей мощностью, заставит транзисторы сильно греться.

Вместо резистора R3 ещё лучше ставить резисторы 5-10 Ом в затворах mosfet и использовать более мощные биполярные транзисторы, например семейства BD136 — BD140 соответствующих типов проводимости.