Характеристики транзистора кт817г

Разновидности и характеристики

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :

  • Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
  • Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
  • Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
  • Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.

  • U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
  • U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
  • H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
  • I КБ – обратный ток коллектора.
  • К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.

Тип U КБ и U КЭ , В H 21 Э I КБ , МкА К Ш , Дб Аналог КТ3102
КТ3102А(АМ) 50 100-250 0,05 10 2 N 4123
КТ3102Б(БМ) 50 200-500 0,05 10 2N2483
КТ3102В(ВМ) 30 200-500 0,15 10 2SC828
КТ3102Г(ГМ) 20 400-1000 0,15 10 BC546C
КТ3102Д(ДМ) 30 200-500 0,15 4 BC547B
КТ3102Е(ЕМ) 20 400-1000 0,15 4 BC547C
КТ3102Ж(ЖМ) 50 100-250 0,05
КТ3102И(ИМ) 50 200-500 0,05
КТ3102К(КМ) 20 и 30 200-500 0,15

Мастерам на все руки будет интересна статья о самостоятельном подключении дифавтомата в однофазной сети.

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и 
дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе ТО126(КТ-27) с гибкими выводами. 
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.



Граничное напряжение при IЭ> = 100 мА, τи < 300 мкс, Q> 100 не менее:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более . . . . . .  1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 3 А, IБ = 0,3 А не более  . . . . . . .  1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при UКЭ = 2 В, IK = 2 А не менее:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  20
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  15
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ = 5 В, IК = 0,05 А не менее . . .  3 МГц
Емкость коллекторного перехода при UКЭ = 5 В, f = 465 кГц не более . . . . . . . . . . 115 пФ
Обратный ток коллектора 
при UКБ = 25 В (КТ816А);
при UКБ = 45 В (КТ816Б); 
при UКБ = 60 В (КТ816В);
при UКБ = 100 В (КТ816Г) 
не более . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА



Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении RБЭ, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ < 1 кОм, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213...373 К  . . . . . . . . . . . . . . . .  5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  3 А
Постоянный ток коллектора при τи < 20 мс, Q > 100, Tк 213...373 К . . . . . . . 6 А
Постоянный ток базы при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк 213...298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 Вт
без теплоотвода при Tк 213...298 К   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Вт
Температура перехода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 К
Температура окружающей среды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 213 до 398 К

Цветовая маркировка транзисторов КТ3102

Боковая точка всегда темно-зеленая и обозначает принадлежность транзистора к серии КТ3102. Точка сверху определяет букву в маркировке транзистора.

Цвет точки сбоку Цвет точки сверху Маркировка транзистора
Теммно-зеленый Бордовый КТ3102А
Теммно-зеленый Желтый КТ3102Б
Теммно-зеленый Темно-зеленый КТ3102В
Теммно-зеленый Голубой КТ3102Г
Теммно-зеленый Синий КТ3102Д
Теммно-зеленый Белый КТ3102Е
Теммно-зеленый Темно-коричневый КТ3102Ж
Теммно-зеленый Серебристый КТ3102И
Теммно-зеленый Оранжевый КТ3102К
Теммно-зеленый Светло-табачный КТ3102Л(И)
Теммно-зеленый Серый КТ3102М(К)

Транзистор КТ3102 является комплементарной парой транзистору КТ3107.

Аналоги КТ3102 — 2SA2785, BC174, BC182

КТ3102А — 2N4123 , 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A, КТ3102АМ, КТ6111А

КТ3102АМ — BC547A, КТ3102А

КТ3102Б — 2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D, КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А

КТ3102БМ — BC547B , КТ3102Б

КТ3102В — 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E

КТ3102ВМ — BC548B

КТ3102Г — 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F

КТ3102Д — 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484

КТ3102ДМ — BC549C

КТ3102Е — 2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517

КТ3102Ж — BC239B, MPS6518

КТ3102И — BC109BP

КТ3102К — BC109CP

КТ3102Л — MPS6519

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
  • материал – кремний (Si);
  • npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

  • IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
  • IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
  • fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
  • емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
  • коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
  • cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
  • тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
  • Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Технические характеристики

Предельно допустимые параметры являются важными при выборе замены для вышедшего из строя устройства или при проектировании нового. Нужно помнить, что транзистор может выйти из строя даже при непродолжительном превышении максимальных значений. Если прибор будет работать долгое время при рабочих характеристиках равным или равным наибольшим возможным он также выйдет из строя. Для КТ817Г они равны:

  • наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном бесконечности, температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 80 В;
  • максимально возможное постоянное (действующее длительное время) напряжение между К-Э (при сопротивлении Б – Э равном RБЭ ≤ 1000 Ом, температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 100 В;
  • предельно допустимое постоянно действующее напряжение между Б – Э (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 5 В;
  • наибольший ток через протекающий через коллектор на протяжении длительного времени (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 3 А;
  • максимальный импульсный (кратковременный) ток через коллектора (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К, длительности импульса до 20 мс) – 40 А;
  • предельный постоянный ток протекающий через базу (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – 1 А;
  • максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре окружающей среды ТК = от 233 до 373 К) – с теплоотводом 25 Вт, без теплоотвода 1 Вт;
  • наибольшая температура кристалла – 423 К;
  • рабочая температура окружающей среды – от 233 до 373 К.

Электрические параметры показывают функциональные возможности изделия. В таблице расположенной ниже находятся их значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».

Параметры Режимы измерения Обозн. min max Ед. изм
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ UКЭ = 2 В, IЭ= 1 A,

Т = от 298 до 373 К

Т = 233 К

h21Э  

25

15

Граничная частота к-та передачи тока в схеме с ОЭ UКЭ = 10 В, IЭ= 0,25 A fгр 3 МГц
Граничное напряжение К-Э IЭ = 100 мA UКЭО гр 80 В
Напряжение насыщения перехода К-Э IК = 1 A, IБ = 0,1 A UКЭнас 0,6 В
Напряжение насыщения перехода Б-Э IК = 1 A, IБ = 0,1 A UБЭнас 1,5 В
Емкость коллекторного перехода UКБ = 10 В, f = 1 МГц cк 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода UЭБ = 0,5 В cк 115 пФ
Обратный ток через коллектор UКБ = 100 В

Т = от 233 до 3298 К

Т = 373 К

IКБО  

100

3000

 

мкА

мкА

Распиновка

Цоколевка транзистора КТ817Г зависит от корпуса, в котором размещено устройство. Он в свою очередь в зависимости от монтажа, бывает всего двух типов: для дырочного, с жесткими выводами применяется КТ27 (ТО-126), а для поверхностного — КТ-89 (DPAK). На рисунке ниже представлено назначение каждого из контактов, для разных типов упаковки.

Оба корпуса выполнены из пластмассы. У транзистора КТ817Г (КТ-27), с отверстием для крепления на радиатор, следующее назначение контактов: первая ножка – эмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья – база (Б). Задняя часть металлизированной упаковки в таком исполнении физически соединена с коллекторным выводом.

КТ817Г9 (КТ-89) не имеет отверстия для крепления на теплоотвод. Вывод К соединен с задней металлической поверхностью. Если смотреть на лицевую часть устройства, то назначение контактов будет таким: в нижней части расположены выводы Б и Э, а сверху размещен К. Цифра “9” в конце обозначения, указывает на тип упаковки для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK). На транзисторах в таком исполнении отсутствует маркировка.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

  • Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
  • Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

КТ3102 параметры

  • Максимальный ток коллектора IКmax =0,1 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора IК и.max =0,2 А
  • Максимальная мощность коллектора без радиатора Pкmax =0,25 Вт
  • Максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером fгр.150 МГц
  • Максимальное напряжение коллектор-база Uкбо
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо
  • Коэффициент усиления в схемах с общим эмиттером h21э
  • Обратный ток коллектора Iкбо
  • Коэффициент шума транзистора Кш
100-250 ≤0,05 10 2N4123
КТ3102Б, КТ3102БМ 50 200-500 ≤0,05 10 2N2483
КТ3102В, КТ3102ВМ 30 200-500 ≤0,015 10 2SC828
КТ3102Г, КТ3102ГМ 20 400-1000 ≤0,015 10 BC546C
КТ3102Д, КТ3102ДМ 30 200-500 ≤0,015 4 BC547B
КТ3102Е, КТ3102ЕМ 20 400-1000 ≤0,015 4 BC547C
КТ3102Ж, КТ3102ЖМ 50 100-250 ≤0,05
КТ3102И, КТ3102ИМ 50 200-500 ≤0,05
КТ3102К, КТ3102КМ 20 и 30 200-500 ≤0,015

18 thoughts on “ КТ3102 цоколевка, КТ3102 параметры ”

Они сейчас в smd корпусах выпускаются.

В smd (sot-23) есть полные (если не ошибаюсь) аналоги: КТ3130 (зарубежные BC846, BC847).

Возможно это КТ3130, но в продаже я их видел как КТ3102. Торгаши могли напутать. К ним бы еще аналог КТ3107 в smd, для комплементарности.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.КТ817 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ817 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Комплементарная пара: КТ816

Аналог: BD233, BD235, BD237

Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ817:
Параметры Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ817(А-Г) Uкб=2B, Iэ=1A 25 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ817(А-Г) Iк=1А, Iб=0.1A 0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ817:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г Rэб ≤ 1кОм 40В 45В 60В 100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)
Постоянный ток коллектора КТ817
Импульсный ток коллектора tи ≤ 20 мс, Т/tи≥100
Максимально допустимый постоянный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 50 °С 25Вт
Температура перехода -60 +150

Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно технические характеристики КТ817Г, которые разделяют на предельно допустимые и электрические. Предельно допустимые параметры, указывают на максимальные значения рабочих режимов эксплуатации. Их значения представлены в техническом описании для температуры перехода (ТП) не превышающей 25 оС:

  • постоянное напряжение между выводами: К-Э = 100 В (при RЭБ  ≤ 1 кОм); Э-Б до 5 В;
  • ток коллектора: постоянный до 3 А; импульсный до 6 А;
  • ток базы до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс): до 25 Вт (c теплотводом);  до 1 Вт (без отвода тепла);
  • температура p-n-перехода до +150 оС;
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса от -60 до +150 °C.

Не рекомендуется допускать длительную эксплуатацию устройство в таких режимах. С большей долей вероятности оно просто выйдет из строя. При этом необходимо учитывать, что PК, при увеличении температуры корпуса (ТК) свыше 25 оС, уменьшается линейно на 0,002 Вт/°C с теплотоводом, и 0,0001 Вт/°C без него.

Электрические параметры

Основные электрические параметры для КТ817Г также представлены в даташит, с учетом ТПне более 25 оС. Приводятся минимальные и максимальные их значения, с учетом дополнительных условий и режимов измерения. Рассмотрим их ниже.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – зарубежный транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие импортные изделия, близкие по своим характеристикам к рассматриваемому: MJE31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SC1826, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип Структура PК max, PК* т. max, мВт fгр, МГц UКБО max, UКЭR*max, В UЭБО max, В IК max, мА IКБО, мкА h21э, h21Э* CК, пФ rКЭ нас, Ом rб, Ом τк, пс
KT315A1 n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1 n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30…250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315И1 n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150…350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315А n-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Б n-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315В n-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Г n-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Д n-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Е n-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Ж n-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30…250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315И n-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Н n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Р n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.