Оглавление
- Маркировка импортных smd
- Какие бывают стандарты маркировки
- Зачем нужна маркировка
- Маркировка smd резисторов
- Основные технические характеристики
- Группа – 4
- Корпуса и smd маркировка
- Корпуса чип-компонентов
- Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.
- Модификации и маркировка транзистора S8050
Маркировка импортных smd
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
E2 | Два импульсных диода | Dual |
E3 | Три импульсных диода | Triple |
E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
F2 | Два диода Шоттки | Dual |
F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
S2 | Два сапрессора | Dual |
T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Будет интересно Как устроены многоцветные светодиоды
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Будет интересно Диод 1n4007: характеристики, маркировка и datasheets
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Маркировка smd резисторов
SMD резисторы с допусками 5% и 2% маркируются следующим кодом из трех символов:
Сопротивление | Код |
0 Ом (перемычка) | 000 |
от 1 Ома до 9.1 Ома | XRX (например 9R1) |
от 10 Ом до 91 Ома | XXR (например 91R) |
A — первая цифра в значении сопротивления резистора
B — вторая цифра в значении сопротивления резистора
С — количество нулей
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
SMD резисторы с допуском 1% маркируются четырьмя символами.
Сопротивление | Код |
от 100 Ом до 988 Ом | XXXR |
от 1 кОм до 1 МОм | XXXX |
A — первая цифра в значении сопротивления резистора
B — вторая цифра в значении сопротивления резистора
С — третья цифра в значении сопротивления резистора
D — количество нулей
Код | Сопротивление |
100R | 100 Ом |
634R | 634 Ома |
909R | 909 Ом |
1001 | 1 кОм |
4701 | 4.7 кОм |
1002 | 10 кОм |
1502 | 15 кОм |
5493 | 549 кОм |
1004 | 1 мОм |
Маркировка SMD конденсаторов
Первая и вторая позиция значащие цифры значении емкости конденсатора. Третья — количество нулей. Общее значение дает емкость в пФ. К примеру емкость конденсатора, изображенного на рисунке выше 4700000 пФ или 4.7 мкФ.
Также применяется система маркировки из двух символов. Первый — буква, представляющая числовое значение; второй символ — множитель (степень десяти). Общее значение дает емкость в пФ.
Буква | A | B | C | D | E | F | G | H | J | K | a | L |
Значение | 1.0 | 1.1 | 1.2 | 1.3 | 1.5 | 1.6 | 1.8 | 2.0 | 2.2 | 2.4 | 25 | 2.7 |
Буква | M | N | b | P | Q | d | R | e | S | f | T | U |
Значение | 3.0 | 3.3 | 3.5 | 3.6 | 3.9 | 4.0 | 4.3 | 4.5 | 4.7 | 5.0 | 5.1 | 5.6 |
Буква | m | V | W | n | X | t | Y | y | Z | |||
Значение | 6.0 | 6.2 | 6.8 | 7.0 | 7.5 | 8.0 | 8.2 | 9.0 | 9.1 |
Цифра | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
Множитель | 10 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 10-1 |
К примеру A5 = 1.0 x 105 = 100,000 пФ = 0.1 мкФ, или f9 = 5.0 x 10-1 = 0.5 пФ
Для танталовых конденсаторов часто первым символом указывается напряжение в соответствии с таблицей.
Напряжение (вольт) | 4 | 6.3 | 10 | 16 | 20 | 25 | 35 | 50 |
Код | G | J | A | C | D | E | V | H |
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
- Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
- Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
Полезная информация:
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
- Реле;
- Светодиоды;
- Лампочками и т.д.
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Группа – 4
Микросхемы этой группы используются в тех случаях, когда необходимо преобразовать напряжение 2,5 – 5,0 вольт в более высокое напряжение ряда 3,3 – 5,0 – 12,0 – 15,0 вольт. Такие преобразователи часто применяются в планшетах, модемах, мониторах и телевизорах, зарядных устройствах, электронных книгах с e-ink дисплеями, устройствах с батарейным питанием.
Специализированные повышающие преобразователи, применяемые для питания светодиодов подсветки экрана, рассматриваются здесь.
Назначение выводов:
- IN — входное напряжение питания 2,5…5в. (Для некоторых типов до 28в.)
- GND — земля, общий провод.
- EN – напряжение включения. При подаче напряжения логической единицы на этот вывод микросхема включается, при соединении с землей — отключается.
- SW — выход для подключения дросселя.
- FB — напряжение обратной связи (0,6…1,3в).
Напряжение на выходе преобразователя зависит от соотношения номиналов резисторов R1, R2 и рассчитывается по формуле:
R1 = (Vout / Vfb -1) • R2
здесь Vfb – значение напряжения на входе FB, в.
Значение Vfb указано в таблице для каждой микросхемы. При подборе аналога необходимо брать микросхему с тем же значением Vfb, иначе выходное напряжение сильно изменится. Это может повредить устройство.
Конденсатор C3 служит для повышения стабильности генерации. Обычно он имеет емкость 22 пф, но некоторые производители им пренебрегают. Конденсаторы С1, С4 рекомендуется устанавливать емкостью от 4 до 10 мкф.
Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-5
Условные обозначения: y – буква, код года изготовления
m – буква, код месяца изготовления
w – буква, код недели изготовления
a – буква, код места изготовления
p – буква, код партии
Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-6
Условные обозначения: y – буква, код года изготовления
m – буква, код месяца изготовления
w – буква, код недели изготовления
a – буква, код места изготовления
p – буква, код партии
Корпуса и smd маркировка
Так как разновидностей таких приборов великое множество, их принято условно делить на несколько групп, исходя из количества контактных выводов на них и габаритов корпуса:
выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
> 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Естественно, в эту таблицу невозможно уместить данные о всех существующих корпусов, так как выполнить такое просто не реально. Разработка и производство новых и модифицированных SMD компонентов не стоит на месте, поэтому периодически появляются новые геометрически видоизмененные корпуса с индивидуальной маркировкой, и занести их одномоментно в реестр, не предоставляется возможным.
Электронные приборы помещенные в корпус SMD, в зависимости от размеров и назначения имеют контактные выводы, но также есть и без выводов. В случае отсутствия на корпусе привычных нам выводов, то их функции выполняет контактная площадка, как правило расположенная в торце корпуса. Например: микросхемы типа BGA, используемые в микроэлектронике, содержат на корпусе множество небольших капелек припоя.
Кроме этого, детали для поверхностного монтажа, могут отличаются от других производителей как размерами по высоте или ширине, так и SMD маркировка может быть другой, то есть кодовыми обозначениями.
В подавляющем большинстве корпуса SMD деталей созданы для установки на печатную плату технологического оборудования выполняющего монтаж в автоматическом режиме. Конечно, простые радиолюбители такую технику для работы в домашних условиях никогда не смогут приобрести.
Да она в принципе и не нужна для дома, для этого есть другая аппаратура, не менее эффективная, но только для работы в домашней мастерской. Как бы там не было, но наши умельцы научились перепаивать BGA микросхемы своими силами и средствами, например: так называемой “перекаткой” шариков микросхемы.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
> 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
Название | Расшифровка | кол-во выводов |
SOT | small outline transistor | 3 |
SOD | small outline diode | 2 |
SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
μBGA | микро BGA | массив выводов |
FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.
В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.
Модификации и маркировка транзистора S8050
Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | — |
S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85…400 | TO-92 | — |
SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-323 | Y1 |
GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | 85…300 | SOT-23 | — |
MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200…400 | SOT-23 | J3 |
KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».