Маркировка smd ldo линейных стабилизаторов

Маркировка импортных smd

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип Наименование ЭРЭ Зарубежное название
A1 Полевой N-канальный транзистор Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2 Двухзатворный N-канальный полевой транзистор Tetrode, Dual-Gate
A3 Набор N-канальных полевых транзисторов Double MOSFET Transistor Array
B1 Полевой Р-канальный транзистор MOS, GaAs FET, P-Channel
D1 Один диод широкого применения General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2 Два диода широкого применения Dual Diodes
D3 Три диода широкого применения Triple Diodes
D4 Четыре диода широкого применения Bridge, Quad Diodes
E1 Один импульсный диод Rectifier Diode
E2 Два импульсных диода Dual
E3 Три импульсных диода Triple
E4 Четыре импульсных диода Quad
F1 Один диод Шоттки AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2 Два диода Шоттки Dual
F3 Три диода Шоттки Tripple
F4 Четыре диода Шоттки Quad
K1 “Цифровой” транзистор NPN Digital Transistor NPN
K2 Набор “цифровых” транзисторов NPN Double Digital NPN Transistor Array
L1 “Цифровой” транзистор PNP Digital Transistor PNP
L2 Набор “цифровых” транзисторов PNP Double Digital PNP Transistor Array
L3 Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1 Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) AF-Transistor NPN
N2 Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) RF-Transistor NPN
N3 Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) High-Voltage Transistor NPN
N4 “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) Darlington Transistor NPN
N5 Набор транзисторов NPN Double Transistor Array NPN
N6 Малошумящий транзистор NPN Low-Noise Transistor NPN
01 Операционный усилитель Single Operational Amplifier
02 Компаратор Single Differential Comparator
P1 Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) AF-Transistor PNP
P2 Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) RF-Transistor PNP
P3 Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) High-Voltage Transisnor PNP
P4 “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) Darlington Transistor PNP
P5 Набор транзисторов PNP Double Transistor Array PNP
P6 Набор транзисторов PNP, NPN Double Transistor Array PNP-NPN
S1 Один сапрессор Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2 Два сапрессора Dual
T1 Источник опорного напряжения “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2 Стабилизатор напряжения Voltage Regulator
T3 Детектор напряжения Voltage Detector
U1 Усилитель на полевых транзисторах GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2 Усилитель биполярный NPN Si-MMIC NPN, Amplifier
U3 Усилитель биполярный PNP Si-MMIC PNP, Amplifier
V1 Один варикап (варактор) Tuning Diode, Varactor
V2 Два варикапа (варактора) Dual
Z1 Один стабилитрон Zener Diode

Будет интересно Как устроены многоцветные светодиоды

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код Сопротивление
101 100 Ом
471 470 Ом
102 1 кОм
122 1.2 кОм
103 10 кОм
123 12 кОм
104 100 кОм
124 120 кОм
474 470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Будет интересно Диод 1n4007: характеристики, маркировка и datasheets

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Маркировка smd резисторов

SMD резисторы с допусками 5% и 2% маркируются следующим кодом из трех символов:

Сопротивление Код
0 Ом (перемычка) 000
от 1 Ома до 9.1 Ома XRX (например 9R1)
от 10 Ом до 91 Ома XXR (например 91R)

A — первая цифра в значении сопротивления резистора

B — вторая цифра в значении сопротивления резистора

С — количество нулей

Код Сопротивление
101 100 Ом
471 470 Ом
102 1 кОм
122 1.2 кОм
103 10 кОм
123 12 кОм
104 100 кОм
124 120 кОм
474 470 кОм

SMD резисторы с допуском 1% маркируются четырьмя символами.

Сопротивление Код
от 100 Ом до 988 Ом XXXR
от 1 кОм до 1 МОм XXXX

A — первая цифра в значении сопротивления резистора

B — вторая цифра в значении сопротивления резистора

С — третья цифра в значении сопротивления резистора

D — количество нулей

Код Сопротивление
100R 100 Ом
634R 634 Ома
909R 909 Ом
1001 1 кОм
4701 4.7 кОм
1002 10 кОм
1502 15 кОм
5493 549 кОм
1004 1 мОм

Маркировка SMD  конденсаторов

Первая и вторая позиция значащие цифры значении емкости конденсатора. Третья — количество нулей. Общее значение дает емкость в пФ. К примеру емкость конденсатора, изображенного на рисунке выше 4700000 пФ или 4.7 мкФ.

Также применяется система маркировки из двух символов. Первый — буква, представляющая числовое значение; второй символ — множитель (степень десяти). Общее значение дает емкость в пФ.

Буква A B C D E F G H J K a L
Значение 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 25 2.7
Буква M N b P Q d R e S f T U
Значение 3.0 3.3 3.5 3.6 3.9 4.0 4.3 4.5 4.7 5.0 5.1 5.6
Буква m V W n X t Y y Z
Значение 6.0 6.2 6.8 7.0 7.5 8.0 8.2 9.0 9.1
Цифра 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Множитель 10 101 102 103 104 105 106 107 108 10-1

К примеру A5 = 1.0 x 105 = 100,000 пФ = 0.1 мкФ, или f9 = 5.0 x 10-1 = 0.5 пФ

Для танталовых конденсаторов часто первым символом указывается напряжение в соответствии с таблицей.

Напряжение (вольт) 4 6.3 10 16 20 25 35 50
Код G J A C D E V H

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

  • Тип проводимости транзистора NPN;
  • Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
  • Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
  • Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
  • Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
  • Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
  • Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
  • Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

  • Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
  • Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
  • Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
  • Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

  • Реле;
  • Светодиоды;
  • Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Группа – 4

Микросхемы этой группы используются в тех случаях, когда необходимо преобразовать напряжение 2,5 – 5,0 вольт в более высокое напряжение ряда 3,3 – 5,0 – 12,0 – 15,0 вольт. Такие преобразователи часто применяются в планшетах, модемах, мониторах и телевизорах, зарядных устройствах, электронных книгах с e-ink дисплеями, устройствах с батарейным питанием.

Специализированные повышающие преобразователи, применяемые для питания светодиодов подсветки экрана, рассматриваются здесь.

Назначение выводов:

  • IN — входное напряжение питания 2,5…5в. (Для некоторых типов до 28в.)
  • GND — земля, общий провод.
  • EN – напряжение включения. При подаче напряжения логической единицы на этот вывод микросхема включается, при соединении с землей — отключается.
  • SW — выход для подключения дросселя.
  • FB — напряжение обратной связи (0,6…1,3в).

Напряжение на выходе преобразователя зависит от соотношения номиналов резисторов R1, R2 и рассчитывается по формуле:

R1 = (Vout / Vfb -1) • R2

здесь Vfb – значение напряжения на входе FB, в.

Значение Vfb указано в таблице для каждой микросхемы. При подборе аналога необходимо брать микросхему с тем же значением Vfb, иначе выходное напряжение сильно изменится. Это может повредить устройство.

Конденсатор C3 служит для повышения стабильности генерации. Обычно он имеет емкость 22 пф, но некоторые производители им пренебрегают. Конденсаторы С1, С4 рекомендуется устанавливать емкостью от 4 до 10 мкф.

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-5

Условные обозначения: y – буква, код года изготовления

m – буква, код месяца изготовления

w – буква, код недели изготовления

a – буква, код места изготовления

p – буква, код партии

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-6

Условные обозначения: y – буква, код года изготовления

m – буква, код месяца изготовления

w – буква, код недели изготовления

a – буква, код места изготовления

p – буква, код партии

Корпуса и smd маркировка

Так как разновидностей таких приборов великое множество, их принято условно делить на несколько групп, исходя из количества контактных выводов на них и габаритов корпуса:

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268)
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Естественно, в эту таблицу невозможно уместить данные о всех существующих корпусов, так как выполнить такое просто не реально. Разработка и производство новых и модифицированных SMD компонентов не стоит на месте, поэтому периодически появляются новые геометрически видоизмененные корпуса с индивидуальной маркировкой, и занести их одномоментно в реестр, не предоставляется возможным.

Электронные приборы помещенные в корпус SMD, в зависимости от размеров и назначения имеют контактные выводы, но также есть и без выводов. В случае отсутствия на корпусе привычных нам выводов, то их функции выполняет контактная площадка, как правило расположенная в торце корпуса. Например: микросхемы типа BGA, используемые в микроэлектронике, содержат на корпусе множество небольших капелек припоя.

Кроме этого, детали для поверхностного монтажа, могут отличаются от других производителей как размерами по высоте или ширине, так и SMD маркировка может быть другой, то есть кодовыми обозначениями.

В подавляющем большинстве корпуса SMD деталей созданы для установки на печатную плату технологического оборудования выполняющего монтаж в автоматическом режиме. Конечно, простые радиолюбители такую технику для работы в домашних условиях никогда не смогут приобрести.

Да она в принципе и не нужна для дома, для этого есть другая аппаратура, не менее эффективная, но только для работы в домашней мастерской. Как бы там не было, но наши умельцы научились перепаивать BGA микросхемы своими силами и средствами, например: так называемой “перекаткой” шариков микросхемы.

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота. 

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы. 

Типы корпусов SMD по названиям 

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам 
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J  >4, в четыре линии по бокам 
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам 
LQFP  низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFP  пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам 
CQFP  керамический QFP >4, в четыре линии по бокам 
TQFP  тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам 
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA  низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA  корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA  СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус  

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.  

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».