Транзистор 13003 (mje13003)

Биполярный транзистор ST13003H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ST13003H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора:

ST13003H
Datasheet (PDF)

0.1. st13003h.pdf Size:615K _semtech

ST 13003H NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for high voltage and high speed switching applications 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage VCES 900 VCollector Emitter Voltage VCEO 500 VEmitter Base Voltage VEBO 9 VCollector Current (f 100 Hz, Duty cycle 50 %)

7.1. st13003-k.pdf Size:218K _st

ST13003-KHigh voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications12 Electronic ballast for fluorescent lighting (CFL)3 SMPS for battery chargerSOT-32DescriptionThe device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagrammulti-epitaxi

7.2. st13003n.pdf Size:203K _st

ST13003NHigh voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplication32 Compact fluorescent lamps (CFLs)1SOT-32DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a

 7.3. st13003dn.pdf Size:163K _st

ST13003DNHigh voltage fast-switching NPN power transistorPreliminary dataFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed Integrated free-wheeling diode3Application 21 Compact fluorescent lamps (CFLs)SOT-32DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high swi

7.4. st13003d-k.pdf Size:141K _st

ST13003D-KHigh voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Integrated antiparallel collector-emitter diode123ApplicationsSOT-32 Electronic ballast for fluorescent lightingDescriptionFigure 1. Internal schemati

 7.5. st13003.pdf Size:80K _st

ST13003HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: ELECTRONIC BALLASTS FORFLUORESCENT LIGHTING12 SWITCH MODE POWER SUPPLIES3DESCRIPTIONSOT-32The device is manufactured using high voltageMulti Epitaxial Planar te

7.6. st13002t st13003t.pdf Size:644K _semtech

ST 13002T / 13003T NPN Silicon Power Transistors E CB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage 13002T 300 VCEO(sus) V 13003T 400Collector Emitter Voltage 13002T 600 VCEV V 13003T 700 Emitter Base Voltage VEBO 9 VCollector Current IC 1.5 APeak Collector Current at t = 5 ms ICM 3 ABase C

7.7. st13003.pdf Size:160K _semtech

ST 13003 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and electron rectifier applications. The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 600 VCollector Emitter Voltage VCEO 400 VEmitter Base Voltage VEBO 9 VCo

Другие транзисторы… RN1204
, RN1205
, RN1206
, RN2002
, BCX53U
, BCX56U
, ST13002T
, ST13003
, BC109
, ST13003T
, ST2SA1012
, ST2SA1213U
, ST2SA1661U
, ST2SA1663U
, ST2SA1666U
, ST2SA1900U
, ST2SA2060U
.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Модификации и группы

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Группы по hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 ˃ 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92T
13001-2 0,8 700 400 9 0,45 150 ˃ 5 8…30 0,7 / 2,0 / 0,6 TO-92T
13001-A 0,8 600 400 9 0,5 150 ˃5 8…30 0,7 / 2,5 / 0,6 TO-92T
3DD13001 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 5…26 Группы A/B — / 1,5 / 0,3 TO-92
3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 ˃5 15…30 0,8 / 1 / 1 TO-92
3DD13001P 0,6 600 400 9 0,17 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
3DD13001P1 0,6 600 400 9 0,2 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 ˃5 15…30 1 / 3 / 1 TO-92
ALJ13001 1 600 400 7 0,2 150 ˃8 10…40 10 групп без обозначения — / 1,5 / 0,3 TO-92
CD13001 0,9 500 400 9 0,5 150 6 групп A/B/C/…/F — / 1,5 / 0,3 TO-92
CS13001 0,75 700 480 9 0,2 150 8…30 4 группы без обозначения TO-92
HMJE13001 1 600 400 6 0,3 150 8…36 TO-92
MJ13001A 0,625 500 400 8 0,5 150 ˃10 8…40 TO-92
MJE13001 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 10…70 12 групп A/B/C…/L TO-92, SOT-89
MJE13001A1 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 TO-92
MJE13001A2 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 TO-92L
MJE13001AH 1 700 480 9 0,3 150 5…30 — / 2 / 0,8 TO-92(S)
MJE13001B1 1 600 400 9 0,2 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001C1 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001C2 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92L
MJE13001DE1 1 600 400 9 0,5 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,8 TO-92
MJE13001E1 1 600 400 9 0,45 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92
MJE13001E2 1 600 400 9 0,45 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 TO-92L
MJE13001H 1 700 480 9 0,18 150 5…30 TO-92(S)
MJE13001P 0,75 600 400 7 0,2 150 ˃8 5…70 12 групп A/B/C…/L — / 1,5 / 0,3 TO-92
SBN13001 0,6 600 400 9 0.5 150 10…40 — / 2 / 0,8 TO-92
SXW13001 9 600 400 0.5 8…70 TO-92
SXW13001 10 600 400 0.5 10…40 TO-126
XW13001 7 600 400 0,25 8…70 TO-92
Исполнение SMD
MJD13001 0,3 700 400 8 0,2 150 ˃8 10…40 6 групп A/B/C/…/F — / 2,4 / 0,9 SOT-23
MJE13001A0 0,5 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 SOT-23
MJE13001AT 0,8 600 400 9 0,17 150 ˃5 10…40 — / 3 / 1,2 SOT-89
MJE13001C0 0,65 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 SOT-23
MJE13001CT 1 600 400 9 0,25 150 ˃5 10…40 — / 3 / 0,6 SOT-89

Примечание. Маркировка:

  • MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
  • MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

H13003D Datasheet (PDF)

0.1. h13003d 3.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. h13003d 2.pdf Size:116K _jdsemi

RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 0.3. h13003dl.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.4. h13003d.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

MJE13003G Datasheet (PDF)

0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi

MJE13003SWITCHMODEt Series NPNSilicon Power TransistorThese devices are designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They areparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationshttp://onsemi.comsuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.1.5 AMPERESFeat

0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G6(3DD13003G6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan

MJE13003G1(3DD13003G1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan

MJE13003G5(3DD13003G5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

MJE13003HT Datasheet (PDF)

0.1. mje13003ht.pdf Size:550K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJ

0.2. mje13003ht 1.pdf Size:212K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HTMJ

 5.1. mje13003hv.pdf Size:41K _kec

SEMICONDUCTOR MJE13003HVTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.AHIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED BDCSWITCHING APPLICATION.EFFEATURESExcellent Switching TimesG: ton=1.1 S(Typ.), tf=0.7 S(Typ.), at IC=1AHHigh Collector Voltage : VCBO=900V.DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1E 3.5_+F 11.0 0.3

5.2. mje13003hk5.pdf Size:284K _foshan

MJE13003HK5(3DD13003HK5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 900 V

 5.3. mje13003hn6.pdf Size:243K _foshan

MJE13003HN6(3DD13003HN6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: For switching power supply and other power switching circuit. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1400 V CBO V 800 V CEO V 9 V EBO I 1.5 A C P (Ta=25) 1.25 W CP

5.4. mje13003h6.pdf Size:191K _foshan

MJE13003H6(3DD13003H6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

 5.5. mje13003h1.pdf Size:195K _foshan

MJE13003H1(3DD13003H1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR: Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters,switching regulators, etc./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating UnitVCBO 600 VVCEO

5.6. mje13003h5.pdf Size:189K _foshan

MJE13003H5(3DD13003H5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

5.7. mje13003h3.pdf Size:191K _foshan

MJE13003H3(3DD13003H3) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V

H13003AD Datasheet (PDF)

0.1. h13003ad 2.pdf Size:116K _jdsemi

RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. h13003adl.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

 0.3. h13003adl 2.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.4. h13003ad.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

P13003 Datasheet (PDF)

0.1. p13003.pdf Size:113K _jdsemi

RP13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2

0.2. p13003d.pdf Size:116K _jdsemi

RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 0.3. sbp13003o.pdf Size:364K _winsemi

SBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG

0.4. wbp13003d.pdf Size:395K _winsemi

WBP13003DWBP13003DWBP13003DWBP13003DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics required such

 0.5. sbp13003h.pdf Size:445K _winsemi

SBP13003HSBP13003HSBP13003HSBP13003HHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturesVery High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage , High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter

0.6. sbp13003d.pdf Size:560K _winsemi

SBP13003DSBP13003DSBP13003DSBP13003DHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics requir

0.7. sbp13003.pdf Size:160K _semiwell

SBP13003SemiWell SemiconductorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesSymbol2.Collector- Very High Switching Speed — Minimum Lot-to-Lot hFE Variation1.Base — Short storge time- Wide Reverse Bias S.O.A3.EmitterGeneral DescriptionTO-220This devices is designed for high voltage, high speed switchingcharacteristic,especially suitable for ba

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001.  SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Биполярный транзистор MJE13003BR — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE13003BR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:
TO126S

MJE13003BR
Datasheet (PDF)

0.1. mje13003br.pdf Size:385K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BRNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BRNPN MJE

0.2. mje13003brh.pdf Size:385K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H)NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H)NPN MJ

 5.1. mje13003b.pdf Size:178K _wietron

WEITRONMJE13003BHigh Voltage Fast-switchingCOLLECTOR2.NPN Power TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER3.2. COLLECTORBASE3. BASEDESCRIPTION:1.The device is manufactured using high voltageEMITTERTO-92Multi Epitaxial Planar technology for high switchingspeeds and medium voltage capability.It uses a Cellular Emitter structure with planar edgetermination to enh

5.2. mje13003b.pdf Size:206K _sisemi

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BNPN MJE

 5.3. mje13003b.pdf Size:77K _first_silicon

SEMICONDUCTOR MJE13003BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED B CSWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent Switching TimesN DIM MILLIMETERS: ton=0.5S(Max.), tf=0.7S(Max.), at IC=1AA 4 70 MAXEKB 4 80 MAXHigh Collector Voltage : VCBO=700V. GC 3 70 MAXDD 0 45E 1 00F 1 27G 0 85H 0 45_MA

Другие транзисторы… DTD114E
, DTD143E
, BUL6802
, BUL6821
, BUL6822
, BUL6822A
, BUL6823
, BUL6823A
, 2SC1740
, MJE13003BRH
, 2SB1334A
, MJE13009A
, BLD101D
, BLD102D
, BLD112D
, BLD122D
, BLD122DL
.

Биполярный транзистор S13003AD — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S13003AD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO126S TO826 TO126D

S13003AD
Datasheet (PDF)

0.1. s13003ad 3.pdf Size:116K _jdsemi

RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. s13003ad 2.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 0.3. s13003ad-h.pdf Size:116K _jdsemi

RS13003AD-H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Charger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High voltage c

0.4. s13003adl.pdf Size:119K _jdsemi

RS13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

 0.5. s13003ad 4.pdf Size:120K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.6. s13003ad.pdf Size:121K _jdsemi

RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

Другие транзисторы… J13003
, P13003
, P13003D
, P13009
, P13009A
, P1488
, S13003
, S13003A
, S9013
, S13003A-D
, S13003AD-H
, S13003ADL
, S13003DL
, S13005A
, S13005ED
, 3DD127_D3
, 3DD127_D5
.