Транзисторы s8550, ss8550

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Электрические характеристики

Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.

Обозначение Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед. изм.
V(BR)CBO Пробивное напряжение коллектор-база IC=100uA, IE=0 40 V
V(BR)CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер IC=0.1mA, IB=0 25 V
V(BR)EBO Пробивное напряжение эмиттер-база IE=100μA, IC=0 5 V
ICBO Ток отсечки коллектора VCB=40V, IE=0 0,1 μA
ICEO Ток отсечки эмиттера VCE=20V, IE=0 0,1 μA
IEBO Ток отсечки эмиттера VEB=5V, IC=0 0,1 μA
hFE(1) Коэффициент усиления по постоянному току VCE=1V, IC=100mA 85
hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40
VCE(sat) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC=800mA, IB=80mA 0,5 V
VBE(sat Напряжение насыщения база-эмиттер IC=800mA, IB=80mA 1,2 V
VBE Напряжение база-эмиттер VCE=1V, IC=10mA 1 V
fT Граничная частота VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz 100 MHz

HE8550 Datasheet (PDF)

0.1. he8550.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Voltage

0.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current smallsignal PNP transistor, designed for Class B push-pull2W audio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to

 0.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6114HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8550PNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pulloperation. TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature…………………………..

0.4. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6129HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.15Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8550SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8550S is designed for general purpose amplifier applications.FeaturesTO-92 High DC Current gain: 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatures

Электрические характеристики

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн ≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)1 IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus)2 IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. ≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 400 В, IE = 0 ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICER UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C ≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА ICEX1 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5В ≤ 10
Ток коллектора выключения, мА ICEX2 UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5 В, Tc = 125°C ≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 5,0 В, IC = 0 ≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭ IC = 3,0 А, IB = 0,6 А ≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А 20….80
hFE (2) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А 20….80
hFE (3) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А ≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс ton UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, RL = 50 Ом. ≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс tstg ≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс tf ≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация R O Y
hFE2 20….40 30….60 40….80

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А — 8*
КТ972Б — 8*
КТ972В — 8*
КТ972Г — 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А — ≥200
КТ972Б — ≥200
КТ972В — ≥200
КТ972Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 1к 60*
КТ972Б 1к 45*
КТ972В 1к 60*
КТ972Г 1к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А — 5,00
КТ972Б — 5,00
КТ972В — 5,00
КТ972Г — 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А — 4*
КТ972Б — 4*
КТ972В — 2,00
КТ972Г — 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк, с*12э КТ972А — ≤3
КТ972Б — ≤3
КТ972В — ≤3
КТ972Г — ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) КТ972А — ≤200*
КТ972Б — ≤200*
КТ972В — ≤200*
КТ972Г — ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

SS8550-D Datasheet (PDF)

7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc

MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

7.2. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

 7.3. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

Аналог VCEO IC PC hFE fT
SS8050 25 1,5 1 85 100
Отечественное производство
КТ698В 50 2 0,6 50 150
КТ6117А 160 0,6 0,625 80 100
Импорт
MPS8050 25 1,5 0,625 85 190
MPS650 40 2 0,625 75 75
MPS651 60 2 0,625 75 75
2SC4145  2  1,2  200
2SD1207  50  2  1  100  150
2SD1207R  50  2  1  100  150
2SD1207S  50  2  1  140  150
2SD1207T  50  2  1  200  150
2SD1207U  50  2  1  280  150
2SD1347  50  3  1  100  150
2SD1347R  50  3  1  100  150
2SD1347S  50  3  1  140  150
2SD1347T  50  3  1  200  150
2SD1347U  50  3  1  280  150
2STL1360  60  3  1,2  160  130
2STX1360  60  3  1  160  130
CD1207  50  2  1  100  150
KTC3205  30  2  1  100
KTD1347  50  3  1  100  150
SK3849  50  1,5  1  120  200
SM2283  25  8  1  100  100
STC4250L  50  2  2  120  240
STSA1805  60  5  1,1  85  150
STSA851  60  5  1,1  85  130
STX112  100  2  1,2  1000
TSC5988CT  60  5  1  120  130

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.

8550C Datasheet (PDF)

0.1. s8550b s8550c s8550d.pdf Size:177K _mcc

S8550-BMCCMicro Commercial ComponentsTMS8550-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S8550-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating a

0.2. 8550c.pdf Size:143K _sunroc

SUNROC8550C TRANSISTOR(PNP) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. BASE VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage -25VCEO V3. COLLECTOR Emitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -0.5 ACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 60 В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА IEBO UEB = 5 В, IC =0 ≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE(1) UCE = 6 В, IC = 0,002 А 40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А ≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА ≤ 0,1
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 1 мА ≥ 80
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц ≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом rbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц 50
Коэффициент шума (типовое значение), dB 2SC3198A NF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм 1
2SC3198L NF 0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе 2SC3198 O 2SC3198 Y 2SC3198 GR 2SC3198 BL
Диапазон величины hFE 70…140 120…240 200…400 350…700

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозначение Параметр Величина Ед.изм.
VCBO Напряжение коллектор-база 40 V
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 25 V
VEBO Напряжение эмиттер-база 5 V
IC Постоянный ток коллектор 1,5 A
PD Мощность рассеяния 625 W
RθJA Тепловое сопротивление корпус-воздух 200 °С/W
TJ, TSTG Температурный диапазон хранения и функционирования -55…+150 °С

SS8550-H Datasheet (PDF)

0.1. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc

MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

7.2. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель PC Ta = 25°C UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г 1 40 25 6 0,1 150 100 1,7 45…630 TO-92
КТ6114 А/Б/В 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ968 В 4 300 200 5 0,1 150 90 2,8 35…220 TO-39

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
3DG8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
BC517S 0,625 40 30 10 1 150 200 — 33000 TO-92
BTN8050A3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 6 160 TO-92
BTN8050BA3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 — 160 TO-92
CX908B/C/D 0,625 40 25 6 1 150 100 — 120…260 TO-92
KTC3203 0,625 — 30 — 0,8 150 190 — 100 TO-92
KTC3211 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
KTS8050 0,625 — 25 — 0,8 175 — — 100 TO-92
M8050-C/D 0,625 40 25 6 — 150 150 — 120…160 TO-92
S8050 0,3 409 25 5 0,5 150 150 — 120 SOT-23
8050HQLT1 0,3 40 25 5 1,5 150 — — 150 SOT-23
8050QLT1 0,3 40 25 5 0,8 150 — — 150 SOT-23
8050SLT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 — 120 SOT-23
CHT9013GP 0,3 45 25 5 0,5 150 150 — 120 SOT-23
F8050HPLG 0,3 40 25 5 0,5 150 150 — 120 SOT-23
KTC9013SC 0,35 40 30 5 0,5 150 150 — 200 SOT-23
MMBT8050D 0,3 40 25 5 0,5 150 150 — 200 SOT-23
MMS9013-H/L 0,3 40 25 5 0,5 150 150 — 200 SOT-23
NSS40201L 0,54 40 25 — 4 150 150 — 120 SOT-23
NSS40201LT1G 0,54 40 40 6 2 — 150 — 200 SOT-23
NSV40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 150 — 200 SOT-23
PBSS4140T 0,3 40 40 5 1 150 150 — 300 SOT-23
S9013 0,3 40 25 5 0,8 150 150 — 120 SOT-23
ZXTN2040F 0,35 — 40 — 1 — 150 — 300 SOT-23
ZXTN25040DFL 0,35 — 40 — 1,5 — 190 — 300 SOT-23
ZXTN649F 0,5 — 25 — 3 — — — 200 SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 35 В В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 6 В, IC = 0 ≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В UCBO IC = 100 мкА, IE = 0 ≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В UCEO IC = 2 мА, IB = 0 ≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В UEBO IE = 100 мкА, IC = 0 ≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 0,8 А, IB = 0,08 А ≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 0,8 А, IB = 0,08 А ≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 1 В, IC = 0,005 мА 135
hFE (2) UCE = 1 В, IC = 0,1 мА 160
hFE (3) UCE = 1 В, IC = 0,8 мА 110
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 0,05 мА 190
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц 9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация B C D
hFE (2) 85…160 120…200 160…300

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип VCEO IC PC hFE fT Корпус Цоколевка*
S9014 45 100 450 60-1000 150 ТО-92 эбк
200 SOT-23 эбк
Импорт
BC547 45 100 625 110 – 800 150 ТО-92 кбэ
MPSW06 60 500 1000 от 80 50 ТО-92 эбк
BC550 45 100 500 420-800 300 ТО-92 кбэ
MPSA43 200 500 625 от 25 от 50 ТО-92 эбк
2SD1938 20 300 200 500 –2500 80 SOT-346 эбк
9014SLT1 45 100 300 300 300 SOT-23 эбк
2N7051 100 1500 625 от 1000 200 ТО-92 экб
Российское производство
КТ3102 20-50 100 250 100 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ
КТ6111 45 100 450 60 – 1000 от 150 ТО-92 кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса  SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус А (мм) B (мм) S (мм) H (мм)
SOT-23 2,9 1,3 2,4 0,95
SOT-346 2,9 1,6 2,8 1,1

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Похожие записи:

Как подключить несколько колонок к компьютеру Как поменять лампочку противотуманки на hyundai solaris Интегральный стабилизатор 7805: описание, примеры подключения Как проверить блок питания, адаптер питания, зарядное устройство Как сделать заземление в частном доме? Как расположить светильники в ванной: все про правильное размещение света