Оглавление
- Модификации и маркировка транзистора S8050
- C8050B Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор SS8050-D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- SS8050-D Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор KTC8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- KTC8050 Datasheet (PDF)
- Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
- Графические данные (эксплуатационные характеристики)
- 8050SS Datasheet (PDF)
- SS8050-D Datasheet (PDF)
- Биполярный транзистор 8050SS — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
- 8050SS Datasheet (PDF)
- H8050 Datasheet (PDF)
- Характеристики популярных аналогов
- Другие разделы справочника:
- C8050C Datasheet (PDF)
- HE8050S Datasheet (PDF)
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | — |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85…400 | TO-92 | — |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | 85…300 | SOT-23 | — |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
C8050B Datasheet (PDF)
0.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha
TransistorsC8050www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
9.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba
TPC8050-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H) TPC8050-H Switching Regulator Applications Motor Drive Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 9.3 m (typ.)
9.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc
UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL NPNTRANSISTORDESCRIPTIONThe UTC8050S is a low voltage high current small signalNPN transistor, designed for Class B push-pull audioamplifier and general purpose applications. FEATURES*Collector current up to 800mA*Collector-Emitter voltage up to 20 VTO-92*Complementary to UTC 8550S 1:EMITTER
9.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.0
9.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.00 + 0.
9.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8550S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBOCollector-Base Voltag
9.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect
STC8050NSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorDescriptions High current application Radio in class B push-pull operation Feature Complementary pair with STA8550N Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC8050N STC8050 TO-92N Outline Dimensions unit : mm 4.20~4.402.25 Max.0.52 Max.0.90 Max.1.27 Typ.0.40 Max.1 2 33.55
9.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
9.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
9.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon
SEMICONDUCTOR FTC8050HTECHNICAL DATA General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURE 3 High current capacity in compact package. I C =1.5A. 1 Epitaxial planar type. 2 PNP complement: FTA8550HPb-Free Package is available. SOT23 COLLECTOR DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Shipping Device Marking 1 FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel BASE 2 E
9.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTC8050TECHNICAL DATA TRANSISTOR (NPN) FTC8050B C FEATURES Complimentary to FTA8550 Collector current: IC=0.5ADIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 3.70 MAXDD 0.55 MAXSymbol Parameter Value Unit E 1.00F 1.27G 0.85VCBO Collector-Base Voltage 40 V H 0.45_HJ 14.00 0.50+VCEO Col
9.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components
DC COMPONENTS CO., LTD.DC8050DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist
Биполярный транзистор SS8050-D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SS8050-D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора:
SS8050-D
Datasheet (PDF)
7.1. mmss8050-h.pdf Size:174K _mcc
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
7.2. ss8050-c-d.pdf Size:179K _mcc
MCCMicro Commercial ComponentsTMSS8050-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311SS8050-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storag
7.3. mmss8050-l.pdf Size:174K _mcc
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
Другие транзисторы… QSX7
, QSX8
, QSZ1
, QSZ2
, QSZ3
, QSZ4
, R13003F1
, SS8050-C
, C945
, SS8050G
, SS8550-C
, SS8550-D
, SS8550G
, SUM201MN
, SVT6062
, WTMA94
, WTP772
.
Биполярный транзистор KTC8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC8050
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
KTC8050
Datasheet (PDF)
0.1. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.0
0.2. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.00 + 0.
0.3. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8550S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBOCollector-Base Voltag
Другие транзисторы… KTC4373
, KTC4374
, KTC4375
, KTC4376
, KTC4377
, KTC4378
, KTC4379
, KTC4419
, 2N3904
, KTC8550
, KTC9011
, KTC9012
, KTC9013
, KTC9014
, KTC9015
, KTC9016
, KTC9018
.
Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| SS8050 | 25 | 1,5 | 1 | 85 | 100 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ698В | 50 | 2 | 0,6 | 50 | 150 |
| КТ6117А | 160 | 0,6 | 0,625 | 80 | 100 |
| Импорт | |||||
| MPS8050 | 25 | 1,5 | 0,625 | 85 | 190 |
| MPS650 | 40 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| MPS651 | 60 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| 2SC4145 | 2 | 1,2 | 200 | ||
| 2SD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207R | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207S | 50 | 2 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1207T | 50 | 2 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1207U | 50 | 2 | 1 | 280 | 150 |
| 2SD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347R | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347S | 50 | 3 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1347T | 50 | 3 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1347U | 50 | 3 | 1 | 280 | 150 |
| 2STL1360 | 60 | 3 | 1,2 | 160 | 130 |
| 2STX1360 | 60 | 3 | 1 | 160 | 130 |
| CD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| KTC3205 | 30 | 2 | 1 | 100 | |
| KTD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| SK3849 | 50 | 1,5 | 1 | 120 | 200 |
| SM2283 | 25 | 8 | 1 | 100 | 100 |
| STC4250L | 50 | 2 | 2 | 120 | 240 |
| STSA1805 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 150 |
| STSA851 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 130 |
| STX112 | 100 | 2 | 1,2 | 1000 | |
| TSC5988CT | 60 | 5 | 1 | 120 | 130 |
Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Графические данные (эксплуатационные характеристики)
Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).
Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).
Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).
Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).
Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).
8050SS Datasheet (PDF)
0.1. 8050ss-d 8050ss-c.pdf Size:340K _mcc
MCCMicro Commercial ComponentsTM8050SS-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913118050SS-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storag
0.2. 8050sst.pdf Size:331K _secos
8050SST 1.5A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8050SST-B 8050SST-C 8050SST-DREF.B Min. Max.A 4.40
0.3. 8050ss.pdf Size:265K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8050SS TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching and Amplification. 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-
SS8050-D Datasheet (PDF)
7.1. mmss8050-h.pdf Size:174K _mcc
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
7.2. ss8050-c-d.pdf Size:179K _mcc
MCCMicro Commercial ComponentsTMSS8050-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311SS8050-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storag
7.3. mmss8050-l.pdf Size:174K _mcc
MCCMMSS8050-LTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8050-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operat
Биполярный транзистор 8050SS — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 8050SS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора:
8050SS
Datasheet (PDF)
0.1. 8050ss-d 8050ss-c.pdf Size:340K _mcc
MCCMicro Commercial ComponentsTM8050SS-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913118050SS-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storag
0.2. 8050sst.pdf Size:331K _secos
8050SST 1.5A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8050SST-B 8050SST-C 8050SST-DREF.B Min. Max.A 4.40
0.3. 8050ss.pdf Size:265K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8050SS TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching and Amplification. 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-
Другие транзисторы… 5552-4
, 55GN01CA-TB-E
, 55GN01FA
, 55GN01FA-TL-H
, 55GN01MA
, 55GN01MA-TL-E
, 753DCSM
, 8050C
, BC546
, 8050SS-C
, 8050SS-D
, 8550C
, 8550SS
, 8550SS-C
, 8550SS-D
, 9012S
, 9013S
.
H8050 Datasheet (PDF)
0.1. lh8050qlt1g.pdf Size:211K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
0.2. lh8050plt1g.pdf Size:237K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE High current capacity in compact package.SeriesIC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement: LH80503 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP
0.3. h8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
0.4. h8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipatio
0.5. h8050.pdf Size:788K _kexin
SMD Type TransistorsNPN TransistorsH8050 Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=1W Collector Current: IC=1.5A Comlementary to H85500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter voltage VCEO 25 VEmitter-base voltage VEBO 5 VC
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: KT972A
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Наименование производителя: WW263
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220
Наименование производителя: U2T833
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Аналоги (замена) для U2T833
Наименование производителя: U2T832
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T823
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T6O1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: U2T605
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: TTD1415B
- Маркировка: D1415B
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220SIS
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
S8050 Pin Description
Pin Number
Pin Name
Description
Current Drains out through emitter
Controls the biasing of transistor
Current flows in through collector
Features
- Low Voltage, High Current NPN Transistor
- Small Signal Transistor
- Maximum Power: 2 Watts
- Maximum DC Current Gain (hFE) is 400
- Continuous Collector current (IC) is 700mA
- Base- Emitter Voltage (VBE) is 5V
- Collector-Emitter Voltage (VCE) is 20V
- Collector-Base Voltage (VCB) is 30V
- High Used in push-pull configuration doe Class B amplifiers
- Available in To-92 Package
Note: Complete Technical Details can be found at the S8050 datasheet given at the end of this page.
Brief Description on S8050
S8050 is a NPN transistor hence the collector and emitter will be left open (Reverse biased) when the base pin is held at ground and will be closed (Forward biased) when a signal is provided to base pin. It has a maximum gain value of 400; this value determines the amplification capacity of the transistor normally S8050. Since it is very high it is normally used for amplification purposes. However at a normal operating collector current the typical value of gain will be 110. The maximum amount of current that could flow through the Collector pin is 700mA, hence we cannot drive loads that consume more than 700mA using this transistor. To bias a transistor we have to supply current to base pin, this current (IB) should be limited to 5mA.
When this transistor is fully biased then it can allow a maximum of 700mA to flow across the collector and emitter. This stage is called Saturation Region and the typical voltage allowed across the Collector-Emitter (VCE) or Collector-Base (VCB) could be 20V and 30V respectively. When base current is removed the transistor becomes fully off, this stage is called as the Cut-off Region.
S8050 in Push-Pull Configuration
As mentioned in the features the S8050 transistor is commonly used in push pull configuration with Class B amplifier. So let us discuss how that is done.
A push pull amplifier, commonly known as Class B amplifier is type of multistage amplifier commonly used for audio amplification of loudspeakers. It is very simple to construct and requires two identical complimentary transistors operate. By complimentary it means that we need a NPN transistor and its equivalent PNP transistor. Like here the NPN transistor will be S8050 and its equivalent PNP transistor will be S8550. A simple circuit diagram of the Class B amplifier with the using the S8050 is shown below.
Applications
- Audio Amplification Circuits
- Class B Amplifiers
- Push pull Transistors
- Circuits where high gain is required
- Low signal applications
2D model of the component
If you are designing a PCB or Perf board with this component then the following picture from the S8050 transistor Datasheet will be useful to know its package type and dimensions.
C8050C Datasheet (PDF)
0.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha
TransistorsC8050www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
9.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba
TPC8050-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H) TPC8050-H Switching Regulator Applications Motor Drive Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 9.3 m (typ.)
9.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc
UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL NPNTRANSISTORDESCRIPTIONThe UTC8050S is a low voltage high current small signalNPN transistor, designed for Class B push-pull audioamplifier and general purpose applications. FEATURES*Collector current up to 800mA*Collector-Emitter voltage up to 20 VTO-92*Complementary to UTC 8550S 1:EMITTER
9.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.0
9.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8550.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_HJ 14.00 + 0.
9.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8550S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBOCollector-Base Voltag
9.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect
STC8050NSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorDescriptions High current application Radio in class B push-pull operation Feature Complementary pair with STA8550N Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC8050N STC8050 TO-92N Outline Dimensions unit : mm 4.20~4.402.25 Max.0.52 Max.0.90 Max.1.27 Typ.0.40 Max.1 2 33.55
9.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
9.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
9.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon
SEMICONDUCTOR FTC8050HTECHNICAL DATA General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURE 3 High current capacity in compact package. I C =1.5A. 1 Epitaxial planar type. 2 PNP complement: FTA8550HPb-Free Package is available. SOT23 COLLECTOR DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Shipping Device Marking 1 FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel BASE 2 E
9.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTC8050TECHNICAL DATA TRANSISTOR (NPN) FTC8050B C FEATURES Complimentary to FTA8550 Collector current: IC=0.5ADIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 3.70 MAXDD 0.55 MAXSymbol Parameter Value Unit E 1.00F 1.27G 0.85VCBO Collector-Base Voltage 40 V H 0.45_HJ 14.00 0.50+VCEO Col
9.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components
DC COMPONENTS CO., LTD.DC8050DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist
HE8050S Datasheet (PDF)
0.1. he8050s.pdf Size:54K _hsmc
Spec. No. : HE6110HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8050SNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8050S is designed for general purpose amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………………………………………………………….
8.1. he8050l.pdf Size:19K _utc
UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current smallsignal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2Waudio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to U
8.2. he8050.pdf Size:216K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter volta
8.3. he8050.pdf Size:46K _hsmc
Spec. No. : HE6112HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.11.29MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8050NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class Bpush-pull operation.TO-92Features High total power dissipation (PT: 2W, TC=25C) High collector current (IC: 1.5A)
Похожие записи:
Транзистор кт972а: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
Подсветка потолка светодиодной лентой — практично и функционально
Расчет трансформатора на стержневом сердечнике в онлайн
Распиновка витой пары или как обжать разъём сетевого интернет кабеля?
Как установить hdd или ssd вместо dvd дисковода в ноутбуке?
Устройство и эксплуатация оборудования