Простой самодельный усилитель мощности нч на пяти транзисторах 100-200 ватт (tip142, tip147)

Биполярный транзистор TIP147T — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP147T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500

Корпус транзистора:

TIP147T
Datasheet (PDF)

0.1. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo

8.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI

8.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141

 8.3. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi

TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value

8.4. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C

 8.5. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic

Другие транзисторы… TIP145
, TIP145F
, TIP145T
, TIP146
, TIP146F
, TIP146T
, TIP147
, TIP147F
, , TIP150
, TIP151
, TIP152
, TIP160
, TIP161
, TIP162
, TIP29
, TIP2955
.

TIP142T Datasheet (PDF)

0.1. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo

0.2. tip142t.pdf Size:52K _fairchild_semi

TIP140T/141T/142TMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP145T/146T/147TTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitSymbol Parameter Val

 0.3. tip142t 47t.pdf Size:410K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP142T NPNTIP147T PNPTO-220Plastic PackageFor use in Power Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 100 VEmitter Base Voltage VEBO

0.4. tip142t 3da142t.pdf Size:518K _lzg

TIP142T(3DA142T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Linear and switching industrial equipment. : — TIP147T(3CA147T) Features: Monolithic construction with built in base-emitter shunt resistorsHigh DC current gain complement to TIP147T(

 0.5. tip142t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142TDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP147TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicatio

Следующий пример применения транзистора

В данном примере мы имеем микрофон, соединенный с затвором полевого транзистора и лампу накаливания, подключенную к транзистору и повышенному источнику питания. Теперь при улавливании звука микрофоном, лампочка будет загораться. И чем громче будет звук, тем ярче будет светиться лампа.

Это происходит потому, что микрофон создает напряжение, поступающее на затвор полевого транзистора. При появлении сигнала на затворе происходит отпирание транзистора, в результате чего через транзистор начинает течь ток от стока к истоку.

Фактически, в этой схеме полевой транзистор играет роль усилителя сигнала. Для еще большего усиления можно использовать еще один транзистор.

Данная схема аналогична предыдущей, только теперь вместо лампы подключен электродвигатель. Это позволяет управлять скоростью вращения электродвигателя силой звука поступающего в динамик.

Чем громче вы кричите в микрофон, тем быстрее двигатель будет вращаться.

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

•    TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
•    TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
•    TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

•    TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
•    TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
•    TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

• зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
• зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
• зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

• Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
• Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

• зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
• область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

• шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
• шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B1 = I_B2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

• сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
• штрихпунктирная ограничивающая линия –
• U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
• пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:

1. Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
2. Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
3. Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
4. Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
5. Снять показания с экрана.

Список деталей для схемы усилителя

Резисторы (0,25Вт):

• R1 = 22 К;
• R2 = 2,2 К / 1 Ватт;
• R3 = 2.7 К;
• R4 = 100 Ом;
• R5 = 8,2 К;
• R6 = 470 Ом;
• R7, R8 = 1 К / 1 Ватт;
• R9, R10 = 1 Ом / 1 Ватт;
• R11 = 1 Ом / 1 Ватт.

Конденсаторы:

• C1 = 10 мкФ / 16 В;
• C2 = 470 мкФ / 6.3В;
• C3 = 220 пФ;
• C4 = 220 мкФ / 40 В;
• C5 = 100 пФ;
• C6 = 470 нФ;
• C7 = 100 нФ / 100 В;
• C8 = 220 нФ;
• C9, C10 = 1 мкФ / 63 В (не электролит);
• C11, C12 = 220 мкФ / 63В.

Транзисторы и диоды:

• D1 = стабилитрон на 12В / 500мВт (ZPD 12V);
• D2, D3, D4 = 1N4001 (или подобные);
• D5, D6, D7, D8 = BY 550-50 (или подобные);
• T1, T2 = BC556B;
• T3 = BD241C;
• T4 = TIP142;
• T5 = TIP147.

Рис. 5. Цоколевка транзистора BC556B из даташита ONSemi.

Перед установкой транзисторов прозвоните их выводы тестером и убедитесь что они совпадают с заявленной цоколевкой, это касается BC556, BC556B.

Принципиальная схема УМЗЧ

Рис. 1. Принципиальная схема мощного гитарного усилителя на транзисторах, 60Вт .

Резисторы:

• R1 — 6K8 1W;
• R2, R4 — 470R 1/4W;
• R3 — 2K 1/2W переменный;
• R5, R6 — 4K7 1/2W;
• R7 — 220R 1/2W;
• R8 — 2K21/2W;
• R9 — 50K 1/2W переменный;
• R10 — 68K 1/4W;
• R11, R12 — 0.47R 4W, проволочные.

Конденсаторы:

• C1, C2, C4, C5 — 47µF 63V электролитические;
• C3 — 100µF 25V электролитический;
• C6 — 33pF 63V керамический;
• C7 — 1000µF 50V электролитический;
• C8 — 2200µF 63V электролитический (смотрите примечания).

Диоды:

• D1 — светодиод любого цвета;
• D2 — диодный мост, 200V 6A .

Транзисторы:

Q1, Q2 — BD139 80V 1.5A NPN транзистор; Q3 — MJ11016 120V 30A NPN транзистор Дарлингтона (смотрите примечания); Q4 — MJ11015 120V 30A PNP транзистор Дарлингтона (смотрите примечания).

Другие детали:

• SW1 — выключатель питания;
• F1 — предохранитель на 4A с держателем;
• T1 — трансформатор, первичка — 220V, вторичка — 48-50V, мощность — 75-150VA;
• PL1 — сетевая вилка;
• SPKR — один или несколько динамиков, подключенных последовательно или параллельно. Суммарное сопротивление: 8 ил 4 Ohm. Максимальная допустима ямощность — 75W.

TIP142F Datasheet (PDF)

0.1. tip142f.pdf Size:62K _fairchild_semi

TIP140F/141F/142FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Complement to TIP145F/146F/147F High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) Industrial UseTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Uni

0.2. tip142f.pdf Size:223K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142FDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP147FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic

 8.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI

8.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141

 8.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo

8.4. tip142t.pdf Size:52K _fairchild_semi

TIP140T/141T/142TMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP145T/146T/147TTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitSymbol Parameter Val

 8.5. tip142t 47t.pdf Size:410K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP142T NPNTIP147T PNPTO-220Plastic PackageFor use in Power Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 100 VEmitter Base Voltage VEBO

8.6. tip142t 3da142t.pdf Size:518K _lzg

TIP142T(3DA142T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Linear and switching industrial equipment. : — TIP147T(3CA147T) Features: Monolithic construction with built in base-emitter shunt resistorsHigh DC current gain complement to TIP147T(

8.7. tip142t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142TDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP147TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicatio

8.8. tip142.pdf Size:164K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142 DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) Complement to Type TIP147 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Примеры обозначения приборов:

КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (см рисунок в начале статьи).

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент обозначения

— буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент

— двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

● от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

● от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;

● от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;

● от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;

● от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

● от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

● от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;

● от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Datasheet Download — STMicroelectronics

Принципиальная схема

Приведенная схема усилителя может развивать мощность до 200 Ватт и даже более при питании +/-48В, она построена всего на пяти транзисторах в обвязке с небольшим числом других деталей. Если посмотреть на схемы транзисторных УНЧ на сайте «RadioStorage.net» то эту схему можно смело назвать очень сбалансированной в соотношении: выходная мощность/количество деталей/простота/качество.

Рис. 1. Принципиальная схема транзисторного усилителя мощности на TIP142, TIP147.

Если попробовать соединить два таких усилителя в мостовом режиме то можно ожидать выходной мощности на нагрузку порядка 400-500 Ватт. Данный усилитель можно использовать в комплексе со стационарной и самодельной звуковоспроизводящей аппаратурой, на дискотеках, в автомобиле как УМЗЧ для самбвуфера и т.п.

В случае питания схемы усилителя от сети переменного напряжения 220В необходимо собрать несложный выпрямитель, схема которого представлена ниже.

Рис. 2. Принципиальная схема простого двуполярного выпрямителя для УМЗЧ (+/-48В).

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

• по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
• по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
• по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

Технические характеристики

• Выходная мощность на нагрузку 8 Ohm — 40W;
• Выходная мощность на нагрузку 4 Ohm — 60W;
• Чувствительность по входу: 35mV с выходной мощностью 40W при 8 Ohm;
• Чувствительность по входу: 42mV с выходной мощностью 60W при 4 Ohm;
• Отзывчивость по частотам: 50Hz-20KHz — 0.5dB; -1.5dB — 40Hz; -3.5dB — 30Hz;
• THD при 1KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.1% вплоть до 10W; 0.2% при 30W;
• THD при 10KHz и 8 Ohm нагрузке: меньше 0.15% вплоть до 10W; 0.3% при 30W;
• THD при 1KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.18% вплоть до 10W; 0.4% при 60W;
• THD при 10KHz и 4 Ohm нагрузке: меньше 0.3% вплоть до 10W; 0.6% при 60W;
• Регулировка ВЧ: +9/-16dB @ 1KHz; +12/-24dB @ 10KHz;
• Регулировка НЧ: -17.5dB @ 100Hz; -26dB @ 50Hz; -28dB @ 40Hz;
• Регулировка яркости: +6.5dB @ 500Hz; +7dB @ 1KHz; +8.5dB @ 10KHz.

TIP147 Datasheet (PDF)

0.1. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147 .pdf Size:48K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESTMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 32APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TI

0.2. tip140 tip141 tip142 tip145 tip146 tip147.pdf Size:68K _st

TIP140/141/142TIP145/146/147COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP141, TIP142, TIP145 AND TIP147 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE 3APPLICATIONS 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL1EQUIPMENT TO-218DESCRIPTION The TIP140, TIP141

 0.3. tip142t tip147t.pdf Size:57K _st

TIP142TTIP147TCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION LOW VOLTAGE HIGH CURRENT HIGH GAINAPPLICATIONS 32 GENERAL PURPOSE SWITCHING 1DESCRIPTION TO-220The TIP142T is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration, mo

0.4. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi

TIP145F/146F/147FMonolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142FTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value

 0.5. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPNTIP145, 146, 147 PNPTO- 3PN Non IsolatedPlastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNITTIP145 TIP146 TIP147C

0.6. tip147.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP142Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and lowfrequency switching applic

Цоколевка

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять

Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Похожие записи:

Соотношение мощности ламп накаливания и светодиодных ламп? Где найти хорошего электрика Какой штраф за самовольное подключение электроэнергии в 2021 году Как читать электрические схемы автомобиля Люминофор для эпоксидной смолы Как пользоваться мультиметром: подробная инструкция для начинающих