Туннельный диод принцип работы

Вольт-амперная характеристика туннельного диода

При прямом смещении туннельная проводимость наступает в диоде из-за их сильного легирования. Ток в диоде достиг своего максимального значения I_P при подаче на него напряжения V_p. При дальнейшем увеличении напряжения ток через диод уменьшается. И он продолжает уменьшаться, пока не достигнет своего минимального значения. Это минимальное значение тока называется током впадины Iv.

Приведенный выше график показывает, что при переходе из точки А в точку В величина тока уменьшается с ростом напряжения. Итак, от A до B на графике показана область отрицательного сопротивления туннельного диода

Данная область показывает наиболее важное свойство диода. Здесь, в показанной области, туннельный диод отдает энергию, а не поглощает ее

Индекс цветопередачи CRI

Один из неочевидных параметров в кодировке – значение CRI, определяющее, насколько естественным выглядит свечение. Средний параметр равен 100 – это солнечный свет; меньшее значение применимо к источникам искусственного света. Соответственно, чем выше CRI, тем лучше.

Помимо определения нужного типа прибора в магазине, цветовую маркировку можно использовать в практических целях. Например, зная расположение и цвет элементов, можно рассчитать сопротивление резистора. Для этого достаточно занести данные в форму онлайн калькулятора. Понимание систем маркировки облегчает правильное использованию диодов и решает множество проблем, связанных с выбором нужного типа устройства.

Цветовая маркировка

Для диодов применяют стандартный тип коробки под обозначением SOD123. На одном конце есть тиснение или цветная калибровочная полоса. Колер говорит о коде, при котором есть отрицательная полярность для расширения р-п-перехода.

Цветовая маркировка диодов учитывает:

• показатели обратного и рабочего вольтажа;
• значение предельного тока сквозь р-п-переход;
• мощность передачи и другие показатели.

Тип коробки не оказывает решающего значения при эксплуатации диода. При этом важная характеристика — степень рассеивания объема тепла с плоскости элемента.

Отечественные диоды

Российские производители применяют кодировочную цветовую надпись, включающую точки и полосы. Расшифровать комбинацию можно, обратившись к специализированным справочникам. В таком случае находят материал производства, назначение диода, эксплуатационные показатели.

Современные производители диодов на схеме обозначают продукцию с учетом требований ГОСТ 20.859.1 – 1989. Для отечественной цветовой маркировки есть нормированная таблица.

В ней есть обозначение материала, причем по нормам букву К (кремний) можно менять цифрой 1. Вторая литера говорит о том, что изделие — выпрямитель (Д) на базе варикапа (В), стабилитрона (С), туннельного диода (И).

Импортные диоды

Изготовленные за рубежом диоды также имеют цветовую шкалу в качестве разметки. Для считывания употребляют цифровые и буквенные обозначения, которые расшифровывают по специальной таблице.

Используют при выпуске условное обозначение диода:

• JEDEC — американская база;
• PRO-ELECTRON 1 европейские изготовители.

В Европе первая литера свидетельствует о типе производственного сырья, далее идут сведения о предназначении и виде элемента.

Номер серии говорит о способе применения:

• для общего использования;
• в специальных системах.

SMD диоды

Элементы чаще имеют иностранное производство. Их строение выполнено в форме платы, на поверхностной плоскости которой есть зафиксированный чип. Изделия настолько маленькие, что не позволяют обозначить цифрами и буквами маркировку (нанести обозначение на поверхность). Если модели более крупные, все параметры указаны буквами, цифрами и цветом.

Технические сравнения

я против. V кривая германиевого туннельного диода 10 мА, снятая на Tektronix model 571 измеритель кривой.

В обычном полупроводниковом диоде проводимость имеет место, когда переход P-N смещен в прямом направлении, и блокирует ток, когда переход имеет обратное смещение. Это происходит до точки, известной как «обратное напряжение пробоя», в которой начинается проводимость (часто сопровождаемая разрушением устройства). В туннельном диоде концентрации примеси в слоях P и N увеличиваются до такого уровня, что обратное напряжение пробоя становится нуль а диод проводит в обратном направлении. Однако при прямом смещении возникает эффект, называемый квантово-механическое туннелирование что приводит к возникновению области зависимости напряжения от тока, где увеличивать в прямом напряжении сопровождается снижаться в прямом токе. Этот «отрицательное сопротивление»регион может быть использован в твердотельной версии динатронный генератор который обычно использует тетрод термоэмиссионный клапан (вакуумная труба).

Применение тестера

Простейшим, но от этого ничуть не менее эффективным, прибором для тестирования элементов электронных схем, полупроводниковых диодов, в том числе, является тестер радиодеталей.

Более того, этот инструмент наиболее распространен в среде радиомастеров по причине неприхотливости, малых массогабаритных параметров и возможности измерения практически любых характеристик радиоэлементов и цепей, важных при ремонте.

Считается, что цифровые мультиметры, благодаря своей точности и удобству в эксплуатации, постепенно вытесняют аналоговые. Однако не стоит грешить на точность старенькой «цешки».

В ее состав уже входят микросхемы, а мостовые резисторы имеют погрешность 1-2% (это очень высокая точность даже для интегральных микросхем). Поэтому, чтобы проверить исправность диода или транзистора нет необходимости покупать новый мультиметр, при наличии аналогового.

Цифровая индикация прижилась из-за отсутствия механических узлов в мультиметре. Это повысило его удароустойчивость и срок эксплуатации.

https://youtube.com/watch?v=3ET6FU3mKuU

Проверка диодов упростилась и с появлением звукового сигнала, позволяющего даже не обращать внимания на дисплей. В большинстве мультиметров существует специальный режим, позволяющий в прямом и переносном смысле прозвонить диод. Он отмечен на корпусе соответствующим знаком.

Операция обратного смещения

я против. V кривая аналогична характеристической кривой туннельного диода. Он имеет «отрицательное» дифференциальное сопротивление в заштрихованной области напряжения между V₁ и V₂.

При использовании в обратном направлении туннельные диоды называются задние диоды (или же обратные диоды) и может действовать так быстро выпрямители с нулевым напряжением смещения и исключительной линейностью для сигналов мощности (они имеют точную квадратный закон характеристика в обратном направлении). Под обратное смещениезаполненные состояния на P-стороне все больше выравниваются с пустыми состояниями на N-стороне, и теперь электроны туннелируют через барьер P-N перехода в обратном направлении.

Приложения

Туннельный диод оказался многообещающим в качестве генератора и высокочастотного порогового (триггерного) устройства, поскольку он работал на частотах, намного превышающих возможности тетрода: в микроволновых диапазонах. Применения туннельных диодов включают гетеродины для УВЧ телевизионные тюнеры, триггерные схемы в осциллографы, схемы высокоскоростного счетчика и схемы генератора импульсов с очень быстрым нарастанием. В 1977 г. Intelsat V спутник В приемнике использовался входной микрополосковый туннельный диодный усилитель (TDA) в полосе частот 14–15,5 ГГц. Такие усилители считались самыми современными, с лучшими характеристиками на высоких частотах, чем любые другие. транзистор-на основе передка. Туннельный диод можно также использовать в качестве малошумящего СВЧ-усилителя.:13–64 С момента своего открытия более традиционные полупроводниковые устройства превзошли свои характеристики с использованием традиционных методов генерации. Для многих целей устройство с тремя выводами, такое как полевой транзистор, более гибкое, чем устройство с двумя выводами. Практические туннельные диоды работают при нескольких миллиампер и нескольких десятых вольта, что делает их маломощными устройствами. В Диод Ганна имеет аналогичные высокочастотные характеристики и может выдерживать большую мощность.

Туннельные диоды тоже больше устойчив к ионизирующему излучению чем другие диоды.[нужна цитата] Это делает их подходящими для условий с более высоким уровнем радиации, например, в космосе.

Долголетие

Туннельные диоды подвержены повреждению из-за перегрева, поэтому при их пайке требуется особая осторожность. Туннельные диоды отличаются своей долговечностью, и приборы 1960-х годов все еще работают

Писать в Природа, Эсаки и соавторы заявляют, что полупроводниковые устройства в целом чрезвычайно стабильны, и предполагают, что их срок годности должно быть «бесконечным», если держать комнатная температура. Далее они сообщают, что небольшое испытание устройств 50-летней давности выявило «отрадное подтверждение долговечности диода». Как было замечено на некоторых образцах диодов Esaki, позолоченные стальные штыри могут на самом деле корродировать и замыкать корпус. Обычно это можно диагностировать и лечить с помощью простой техники перекиси / уксуса, обычно используемой для ремонта печатных плат телефона, и диод внутри обычно все еще работает

Туннельные диоды отличаются своей долговечностью, и приборы 1960-х годов все еще работают. Писать в Природа, Эсаки и соавторы заявляют, что полупроводниковые устройства в целом чрезвычайно стабильны, и предполагают, что их срок годности должно быть «бесконечным», если держать комнатная температура. Далее они сообщают, что небольшое испытание устройств 50-летней давности выявило «отрадное подтверждение долговечности диода». Как было замечено на некоторых образцах диодов Esaki, позолоченные стальные штыри могут на самом деле корродировать и замыкать корпус. Обычно это можно диагностировать и лечить с помощью простой техники перекиси / уксуса, обычно используемой для ремонта печатных плат телефона, и диод внутри обычно все еще работает.

Излишки российских компонентов также надежны и часто могут быть куплены за несколько пенсов, несмотря на то, что первоначальная стоимость находилась в диапазоне 30–50 фунтов стерлингов. Обычно продаются блоки на основе GaAs ия_pk⁄_яv соотношение 5: 1 при 1–20 мА я_pk, и поэтому должны быть защищены от перегрузки по току.

Операция с прямым смещением

Под нормальным прямое смещение операция, как Напряжение начинает увеличиваться, электроны сначала туннелируют через очень узкий барьер P-N-перехода и заполняют электронные состояния в зоне проводимости на N-стороне, которые выравниваются с пустыми дырочными состояниями валентной зоны на P-стороне P-N-перехода. При дальнейшем увеличении напряжения эти состояния становятся все более несовместимыми, и ток падает. Это называется отрицательное дифференциальное сопротивление потому что текущий уменьшается с увеличение Напряжение. Когда напряжение увеличивается за пределами фиксированной точки перехода, диод начинает работать как обычный диод, где электроны перемещаются за счет проводимости через P-N-переход, а не через туннелирование через барьер P-N-перехода

Наиболее важной рабочей областью туннельного диода является область «отрицательного сопротивления». Его график отличается от обычного диода с P-N переходом

Операция с прямым смещением

Под нормальным прямое смещение операция, как Напряжение начинает увеличиваться, электроны сначала туннелируют через очень узкий барьер P-N-перехода и заполняют электронные состояния в зоне проводимости на N-стороне, которые выравниваются с пустыми дырочными состояниями валентной зоны на P-стороне P-N-перехода. При дальнейшем увеличении напряжения эти состояния становятся все более несовместимыми, и ток падает. Это называется отрицательное дифференциальное сопротивление потому что текущий уменьшается с увеличение Напряжение. Когда напряжение увеличивается за пределами фиксированной точки перехода, диод начинает работать как обычный диод, где электроны перемещаются за счет проводимости через P-N-переход, а не через туннелирование через барьер P-N-перехода

Наиболее важной рабочей областью туннельного диода является область «отрицательного сопротивления». Его график отличается от обычного диода с P-N переходом

Операция обратного смещения

я против. V кривая аналогична характеристической кривой туннельного диода. Он имеет «отрицательное» дифференциальное сопротивление в заштрихованной области напряжения между V₁ и V₂.

При использовании в обратном направлении туннельные диоды называются задние диоды (или же обратные диоды) и может действовать так быстро выпрямители с нулевым напряжением смещения и исключительной линейностью для сигналов мощности (они имеют точную квадратный закон характеристика в обратном направлении). Под обратное смещениезаполненные состояния на P-стороне все больше выравниваются с пустыми состояниями на N-стороне, и теперь электроны туннелируют через барьер P-N перехода в обратном направлении.

Операция обратного смещения [ править ]

Кривая зависимости I от V аналогична характеристической кривой туннельного диода. Он имеет «отрицательное» дифференциальное сопротивление в заштрихованной области напряжения между V ₁ и V ₂ .

При использовании в обратном направлении туннельные диоды называются обратными диодами (или обратными диодами ) и могут действовать как быстрые выпрямители с нулевым напряжением смещения и крайней линейностью для сигналов мощности (они имеют точную квадратичную характеристику в обратном направлении). При обратном смещении заполненные состояния на P-стороне все больше выравниваются с пустыми состояниями на N-стороне, и теперь электроны туннелируют через барьер PN-перехода в обратном направлении.

Маркировка импортных диодов

В настоящее время широко используются SMD-диоды зарубежного производства. Конструкция элементов выполнена в виде платы, на поверхности которой закреплен чип. Слишком маленькие размеры изделия не позволяют нанести на него маркировку. На более крупных элементах обозначения присутствуют в полном или сокращенном варианте.

В электронике SMD-диоды составляют около 80% всех используемых изделий этого типа. Такое разнообразие деталей заставляет внимательнее относиться к обозначениям. Иногда они могут не совпадать с заявленными техническими характеристиками, поэтому желательно провести дополнительную проверку сомнительных элементов, если они планируются к использованию в сложных и точных схемах. Следует учитывать, что маркировка диодов этого типа может быть разной на совершенно одинаковых корпусах. Иногда присутствует только буквенная символика, без каких-либо цифр. В связи с этим рекомендуется использовать таблицы с типоразмерами диодов от разных производителей.

Для SMD-диодов чаще всего используется тип корпуса SOD123. На один из торцов может наноситься цветная полоса или тиснение, что означает катод с отрицательной полярностью для открытия р-п-перехода. Единственная надпись соответствует обозначению корпуса.

Тип корпуса не играет решающей роли при использовании диода. Одной из основных характеристик является рассеивание некоторого количества тепла с поверхности элемента. Кроме того, учитываются значения рабочего и обратного напряжения, величина максимально допустимого тока через р-п-переход, мощность рассеивания и другие параметры. Все эти данные указаны в справочниках, а маркировка лишь ускоряет поиск нужного элемента.

Использует

Их «отрицательное» дифференциальное сопротивление часть их рабочего диапазона позволяет им функционировать как генераторы и усилители, И в коммутационные схемы с помощью гистерезис. Они также используются как преобразователи частоты и детекторы.:7–35 Их низкий емкость позволяет им функционировать в микроволновая печь частоты, намного превышающие диапазон обычных диодов и транзисторы.

Туннельный диодный усилитель 8–12 ГГц, около 1970 г.

Из-за низкой выходной мощности туннельные диоды не получили широкого распространения. РФ выходная мощность ограничена несколькими сотнями милливатт из-за небольшого колебания напряжения. Однако в последние годы были разработаны новые устройства, использующие туннельный механизм. В резонансно-туннельный диод (RTD) достиг одних из самых высоких частот среди всех твердое состояние осциллятор.

Другой тип туннельного диода — это металл – изолятор – изолятор – металл (MIIM) диод, где дополнительный слой изолятора позволяет «ступенчатое туннелирование»для более точного управления диодом. Также есть металл – изолятор – металл (MIM) диод, но из-за присущей ему чувствительности его настоящее применение, похоже, ограничено исследовательскими средами.

Основные параметры туннельных диодов

Пиковый ток I_п — значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной проводимости равно нулю.

Ток впадины I_в — значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение диффзренциальной активной проводимости равно нулю.

Отношение токов туннельного диода I_п/I_в — отношение пикового тока к току впадины.

Напряжение пика U_п — значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода.

Напряжение впадины U_в — значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода.

Напряжение раствора U_рр — значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому.

Отрицательная проводимость g_пер — дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода.

Шумовая постоянная N_ш — величина, определяемая соотношением N_ш — 20lg I_рg_пер, где I_р — ток в рабочей точке, а g_пер — отрицательная проводимость туннельного диода.

Предельная резистивная частота f_R — значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.

Резонансная частота f — значения частоты, на которой общее реактивное сопротивление p-n-перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль.

Предельно допустимые параметры туннельных диодов:

• максимально допустимый прямой ток туннельного диода I_{пр max},
• максимально допустимый постоянный обратный ток I_{обр max},
• максимально допустимое постоянное прямое напряжение U_{пр max}.

Нюансы

В дополнение к таким обозначениям диодов используются также некоторые графические показатели. Благодаря им, можно решить задачу и понять, насколько высокой является рабочая точка устройства. Иногда на диоды наносятся данные о том, какая техника производства выбрана, какой имеется материал корпуса, масса устройства. В принципе, такая информация будет полезна тому, кто создает аппаратуру, любителям такие данные не нужны.

Нужно заметить, что импортные производители работают по другой схеме. Маркировка диода такого типа будет довольно простой, ее значение можно посмотреть в специальной таблице. Именно поэтому аналоги будет отыскать очень легко.

Назначение

1. Диодные мосты представляют собой 4, 6 или 12 диодов, соединенных между собой, их количество зависит от типа схемы, которая может быть однофазной, трехфазной полумостовой или трехфазной полномостовой. Они выполняют функции выпрямителей, такой вариант чаще всего используется в автомобильных генераторах, поскольку внедрение подобных мостов, а также использование вместе с ними щеточно-коллекторных узлов, позволило в значительной степени сократить размеры данного устройства и увеличить степень его надежности. Если соединение выполнено последовательно и в одну сторону, то это повышает минимальные показатели напряжения, которое потребуется для отпирания всего диодного моста.
2. Диодные детекторы получаются при комбинированном использовании данных приборов с конденсаторами. Это необходимо для того, чтобы было можно выделить модуляцию с низкими частотами из различных модулированных сигналов, в том числе амплитудно-модулированной разновидности радиосигнала. Такие детекторы являются частью конструкции многих бытовых потребителей, например, телевизоров или радиоприемников.
3. Обеспечение защиты потребителей от неверной полярности при включении схемных входов от возникающих перегрузок или ключей от пробоя электродвижущей силой, возникающей при самоиндукции, которая происходит при отключении индуктивной нагрузки. Для обеспечения безопасности схем от возникающих перегрузок, применяется цепочка, состоящая из нескольких диодов, имеющих подключение к питающим шинам в обратном направлении. При этом, вход, которому обеспечивается защита, должен подключаться к середине этой цепочки. Во время обычного функционирования схемы, все диоды находятся в закрытом состоянии, но если ими было зафиксировано, что потенциал входа ушел за допустимые пределы напряжения, происходит активация одного из защитных элементов. Благодаря этому, данный допустимый потенциал получает ограничение в рамках допустимого питающего напряжения в сумме с прямым падением показателей напряжение на защитном приборе.
4. Переключатели, созданные на основе диодов, используются для осуществления коммутации сигналов с высокими частотами. Управление такой системой осуществляется при помощи постоянного электрического тока, разделения высоких частот и подачи управляющего сигнала, которое происходит благодаря индуктивности и конденсаторам.
5. Создание диодной искрозащиты. Используются шунт-диодные барьеры, которые обеспечивают безопасность путем ограничения напряжения в соответствующей электрической цепи. В совокупности с ними применяются токоограничительные резисторы, которые необходимы для ограничения показателей электрического тока, проходящего через сеть, и увеличения степени защиты.

Использование диодов в электронике на сегодняшний день весьма широко, поскольку фактически ни одна современная разновидность электронного оборудования не обходится без этих элементов.

Отрицательное сопротивление

Согласно закону Ома классическая зависимость силы тока и напряжения носит прямо пропорциональный характер – чем выше прикладываемая к нагрузке разность потенциалов, тем больше сила тока. В туннельных диодах, в очень узком интервале входных напряжений, при увеличении прямого смещения дифференциальное сопротивление диода становится отрицательным, и ток не растёт, а, напротив, падает.

Сила тока уменьшается до некоего минимального значения, зависящего от параметров конкретного радиокомпонента. При дальнейшем повышении напряжения ток снова начинает расти, и вольт-амперная характеристика возвращается к своему обычному виду. Данное изменение силы тока выглядит как импульс, то есть поведение туннельного диода в этот момент напоминает функционирование генератора.

График работы туннельного диода.

Повторимся, что описанное явление наблюдается в чрезвычайно узком интервале входной разности потенциалов, поэтому рабочие напряжения туннельных диодов не превышают единиц милливольт. Это делает элементы почти идеальными детекторами малых смещений и позволяет использовать их в низковольтной переключающей аппаратуре – всевозможных коммутаторах и так далее. В перечень основных характеристик туннельного диода входят следующие:

1. пиковый ток и ток впадины;
2. пиковое напряжение и напряжение впадины;
3. удельная ёмкость;
4. резистивная и резонансная частоты.

Именно по этим параметрам подбираются радиокомпоненты для конкретных устройств. Для того чтобы возник туннельный эффект, полупроводник должен быть особым образом подготовлен. Технологически это осуществляется с помощью легирования металлическими примесями. Полупроводник при этом легируется настолько интенсивно, что его собственные свойства почти исчезают. Именно поэтому такие материалы называются вырожденными.

Схема работы туннельного диода.

Некоторые учёные называют вырожденные полупроводники полуметаллами – настолько сильны у них металлические свойства. Тем не менее, этого недостаточно для признания их типичными металлами. То есть диод, изготовленный из вырожденных полупроводников, ведёт себя всё-таки, как обычный вентиль, то есть при приложении обратного смещения запирается.

Узкий p-n-переход

Другая особенность туннельного диода состоит в чрезвычайно небольшой толщине p-n-перехода. Узость переходной зоны определяется невысокой концентрацией собственных носителей заряда в полупроводниках. Небольшая толщина p-n-перехода является причиной высокого уровня напряжённости электрического поля, которая и является основным фактором того, что электроны получают достаточно энергии для того, чтобы преодолеть запрещённую энергетическую зону и пройти через p-n-переход в обратном направлении.

Частотные свойства туннельных диодов

Физика вырожденных полупроводников обуславливает отсутствие накопления неосновных носителей заряда в базе диода – они все задействованы в туннелировании. Из-за этого время протекания переходных процессов оказывается ничтожно малым – порядка долей наносекунд. Это даёт широкие возможности использования туннельных диодов в сверхвысокочастотных устройствах, работающих с сигналами частотой до сотен ГГц.

Принцип работы туннельного диода

Когда туннельный диод находится в состоянии равновесия, или мы можем сказать, что на диод не подается напряжение, в этом случае зона проводимости полупроводникового материала n-типа перекрывается с валентной зоной материала p-типа. Энергетические уровни дырок и
электронов на стороне p и n соответственно остаются одинаковыми.

Когда температура повышается, электроны переходят от зоны проводимости n-области к валентной зоне p-области. Аналогично дырки, переходят от валентной зоны р-области до зоны проводимости n-области. Естественно, для туннельного перехода электрона через барьер из одной области в другую необходимо, чтобы по другую сторону барьера (место куда переходит электрон) имелось свободное состояние. Нулевой ток протекает через диод в состоянии равновесия.

Когда небольшое напряжение подается на туннельный диод, величина которого меньше напряжения в области обеднения, тогда электроны не пересекают область обеднения, и через диод протекает нулевой ток. Немногие электроны из n-области зоны проводимости туннелируются в p-область валентной зоны. Из-за туннелирования электронов небольшой прямой ток течет через область обеднения.

Когда на туннельный диод подается полное напряжение, создается определенное количество электронов и дырок. Увеличение напряжения увеличивает перекрытие проводимости и валентной зоны. Уровни энергии валентной зоны n-стороны и зоны проводимости p-стороны равны. Таким образом, через туннельный диод протекает максимальный ток.

Когда прикладываемое напряжение еще больше увеличивается, валентная зона и зона проводимость туннельного диода слегка смещаются. Но зона проводимости области n-типа и валентная зона области p-типа все еще перекрываются. Небольшой ток течет через диод, и, таким образом, ток начинает уменьшаться.

Если напряжение на проводнике сильно увеличивается, то туннельный ток падает до нуля. В этом состоянии зона проводимости n-стороны и валентная зона р-стороны не перекрывают друг друга, и туннельный диод ведет себя как обычный диод с PN-переходом. Если величина напряжения больше, чем контактная разность потенциалов, через диод течет прямой ток.

Буквенно-цифровое обозначение диодов

В обозначении показывают номер партии и день выпуска, что помогает отслеживать более современные модели. Помимо этого, указывают технические характеристики, чтобы собрать ответственные схемы.

В СССР система маркировки претерпевала множественные изменения, на сегодняшний день она основывается на классификационных свойствах:

• первая литера означает материал, например, К означает кремний, Г — германий, 3 или А — галлий, И — индий;
• вторая буква — подкласс элементов: Д — термодиоды разных типов, Ц — выпрямители, В — варикапы, Н — диодные тиристоры;
• третий элемент обозначают цифрой, которая определяет признак прибора;
• четвертым идет число, показывающее номер разработки;
• на пятом месте индекс классификации по показателям одной разновидности.

Предусмотрены дополнительные знаки для выделения конструктивных особенностей.

Новая система

По современным нормам диоды делят на группы по частоте усиления передачи электричества.

Различают диоды по работе в среде частотности тока:

• среднего;
• высокого;
• сверхвысокого.

Старая система

Распространенные схемы включают обозначения в виде GD-серии диодов из германия, например, GD-9 — это старая система кодировки.

Крупные организации или производственные концерны создали свои схемы обозначения диодов:

• JEDEC 1N4148 — например, HP диод 1901-0044;
• военный диод CV448 Mullard типа OA81 (Великобритания) — тип GEX230151 GEC.

OA-серия также означает аналогичные диоды, например, OA48 — такие кодировки были в разработках британского концерна Mallard. Схема кодирования JIS предназначена для полупроводников, обозначение начинается с IS.

Похожие записи:

Расчет системы охранного освещения периметра Обзор однофазного электросчетчика меркурий 201 Сборник гостов по электротехнической продукции и аппаратам Установка ходовых огней на форд фокус 2: рестайлинг и дорестайл Обзор однофазного электрического счетчика энергомера се 101 Зарядно-пусковое устройство для автомобиля своими руками. схема