Простые линейные стабилизаторы тока для светодиодов своими руками

Расчет схемы Дарлингтона.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:

• Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
• Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
• Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
• Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.

Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Биполярный транзистор

Полупроводниковое устройство состоит из трех разных по проводимости слоев, к каждому из которых подсоединены проводящие контакты.

По степени электропроводности коллекторный, базовый и эмиттерный слой отличаются мало, но при производстве подвергаются разному уровню легирования:

• Первый легируется слабо, что дает возможность повысить коллекторный вольтаж.
• В эмиттерный добавляют много примесей при изготовлении. Объем обратного пробойного напряжения не становится критичным, т. к. приборы функционируют с прямосмещенным переходом. Усиленное легирование дает повышенную инжекцию вторичных зарядоносителей в базовый слой.

Как работает

Зарядные носители передвигаются к коллектору сквозь тонкий базовый слой. Средняя прослойка отделена от верхнего и нижнего p-n переходами.

Особенности функционирования:

• Ток проходит сквозь транзистор, если зарядные носители инжектируются посредством p-n перехода в базовую прослойку из эмиттерной.
• В результате снижается потенциальная преграда при подаче прямого смещения.
• В базовой прослойке инжектируемые заряды — не основные носители, поэтому ускоряются и поступают в другие p-n переходы к коллекторному пласту от базовой прослойки.
• В базе заряды распространяются под действием диффузии или электрического поля.

Схема включения

Для установки в схему у транзистора есть три вывода. При подключении один контакт определяют, как общий.

Различают схемы подсоединения:

• С совместным эмиттером. Часто используемая схема усиливает ток и напряжение (отмечается наибольшее повышение мощности). Входной импульс поступает на базовый слой со стороны эмиттера, снимается — с коллектора и инвертируется.
• С совместным коллектором. Повышается только электроток, коэффициент усиления вольтажа равен 1, сопротивление на входе высокое, а на выходе маленькое. Подключение поддерживает большой промежуток усиливаемых частот.

Лабораторный блок питания на транзисторах

Данные блоки питания могут применяться не только для питания радиостанций, но и для питания различных приборов постоянным током. По сути, это базовая схема блока питания, где в качестве опорного элемента используется интегральный стабилизатор КРЕН серии или импортный аналог. Напряжение стабилизации данных стабилизаторов довольно различно — от 3 В и до 24 В, однако сила тока не превышает А, чего бывает недостаточно для питания мощной аппаратуры, когда необходим ток 10 А и более. На схемах данных блоков питания этот недостаток устранен мощным проходным транзистором. Трансформатор можно использовать любой подходящий по напряжению и току вторичной обмотки, 15 В и А в первом случае и В — 10 А во втором.

К списку Универсальный мощный блок питания.

Преимущества пары Дарлингтон

Пара Дарлингтона имеет несколько преимуществ по сравнению со стандартным одиночным транзистором. Вот некоторые из них:

• Он обеспечивает очень высокий коэффициент усиления по току, чем стандартный одиночный транзистор
• Он обеспечивает очень высокий входной импеданс или хорошее преобразование импеданса.
• Они могут быть двумя отдельными транзисторами или поставляются в одном корпусе.
• Простая и удобная конфигурация схемы, так как используется всего несколько компонентов.
• В случае пары фотодарлингтон внешний шум намного меньше по сравнению с фототранзистором с внешним усилителем.

Биполярные транзисторы

Определение «биполярный» указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов — электроны и дырки.

Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей – основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.

Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости: эмиттера, базы и коллектора.

• Э — эмиттер,
• Б — база,
• К — коллектор,
• ЭП — эмиттерный переход,
• КП — коллекторный переход,
• W — толщина базы.

Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:

1. Режим отсечки – оба p-n перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идет сравнительно небольшой ток
2. Режим насыщения – оба p-n перехода открыты
3. Активный режим – один из p-n переходов открыт, а другой закрыт

В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором невозможно. Эффективное управление транзистором осуществляется только в активном режиме. Этот режим является основным. Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное, то включение транзистора считают нормальным, при противоположной полярности – инверсным.

В нормальном режиме коллекторный p-n переход закрыт, эмиттерный – открыт. Ток коллектора пропорционален току базы.

Движение носителей заряда в транзисторе n-p-n типа показано на рисунке:

При подключении эмиттера к отрицательному зажиму источника питания возникает эмиттерный ток Iэ. Так как внешнее напряжение приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, электроны преодолевают переход и попадают в область базы. База выполнена из p-полупроводника, поэтому электроны являются для неё неосновными носителями заряда.

Электроны, попавшие в область базы, частично рекомбинируют с дырками базы. Однако базу обычно выполняют очень тонкой из p-проводника с большим удельным сопротивлением (малым содержанием примеси), поэтому концентрация дырок в базе низкая и лишь немногие электроны, попавшие в базу, рекомбинируют с её дырками, образуя базовый ток Iб. Большинство же электронов вследствие теплового движения (диффузия) и под действием поля коллектора (дрейф) достигают коллектора, образуя составляющую коллекторного тока Iк.

Связь между приращениями эмиттерного и коллекторного токов характеризуется коэффициентом передачи тока

Как следует из качественного рассмотрения процессов, происходящих в биполярном транзисторе, коэффициент передачи тока всегда меньше единицы. Для современных биполярных транзисторов α = 0,9 ÷ 0,95

При Iэ ≠ 0 ток коллектора транзистора равен:

В рассмотренной схеме включения базовый электрод является общим для эмиттерной и коллекторной цепей. Такую схему включения биполярного транзистора называют схемой с общей базой, при этом эмиттерную цепь называют входной, а коллекторную – выходной. Однако такую схему включения биполярного транзистора применяют очень редко.

СМИ

Дарлингтон является домом для региональной ежедневной газеты The Northern Echo и ее дочерней еженедельной газеты Darlington & Stockton Times .

Региональная радиостанция «Дарло Радио» вещает из города.

В 1998 году город Дарлингтон в графстве Дарем попал в заголовки газет после того, как местный житель Дэвид Джеймс Харкер убил и обезглавил свою подругу Джули Патерсон перед тем, как съесть части ее тела в районе Хэрвуд-Гроув, недалеко от большого супермаркета Сейнсбери; за которым последовало падение ее туловища, которое позже было обнаружено в кустах местными жителями, о чем было сообщено в полицию Дарема. Позже эксперты диагностировали у Харкера антисоциальное расстройство личности, и его помнят как Дарлингтонского убийцу-каннибала. В феврале 1999 года он был приговорен к пожизненному заключению.

Зачем нужна схема Дарлингтона?

Вы должны помнить, что биполярный транзистор — это элемент, управляемый током. Когда ток, известной величины, течет в базу, мы ожидаем, что ток коллектора будет в β раз больше, где β — коэффициент усиления по току, который соединяет токи базы и коллектора вместе.

Теперь давайте представим ситуацию: предположим, что мы хотим использовать транзистор для включения двигателя, потребляющего ток 5 А. Напряжение питания настолько низкое, что использование полевых МОП-транзисторов невозможно, поэтому они остаются только биполярными. Оказывается, что транзисторы, способные проводить такой большой ток, имеют параметр β в диапазоне 40–100.

Делим ток коллектора на коэффициент усиления по току. Результат будет находится в диапазоне 50–125 мА. Поэтому для насыщения транзистора необходимо обеспечить ток базы, по крайней мере, в три раза превышающий расчетный, то есть порядка 150–375 мА. Однако наш микроконтроллер (например, Arduino) может выдавать только 20 мА (безопасная производительность для одного выхода), что определенно слишком мало… Вот здесь и пригодится схема Дарлингтона.

3.2. Мультивибраторы

Мультивибратор представляет собой релаксационный генератор колебаний почти прямоугольной формы. Он является двухкаскадным усилителем на резисторах с положительной обратной связью, в котором выход каждого каскада соединен со входом другого. Само название «мультивибратор» происходит от двух слов: «мульти» — много и «вибратор» — источник колебаний, поскольку колебания мультивибратора содержат большое число гармоник. Мультивибратор может работать в автоколебательном режиме, режиме синхронизации и ждущем режиме. В автоколебательном режиме мультивибратор работает как генератор с самовозбуждением, в режиме синхронизации на мультивибратор действует извне синхронизирующее напряжение, частота которого определяет частоту импульсов, ну а в ждущем режиме мультивибратор работает как генератор с внешним возбуждением.

На рисунке 3.2.1 показана наиболее распространенная схема мультивибратора на транзисторах с емкостными коллекторно-базовыми связями, на рисунке 3.2.2 – графики, поясняющие принцип его работы.

Рисунок 3.2.1 Мультивибратор на транзисторах с емкостными коллекторно — базовыми связями

Мультивибратор состоит из двух усилительных каскадов на резисторов. Выход каждого каскада соединен со входом другого каскада через конденсаторы С1 и С2.

Мультивибратор, у которого транзисторы идентичны, а параметры симметричных элементов одинаковы, называется симметричным

Обе части периода его колебаний равны и скважность равна 2. Если кто забыл, что такое скважность, напоминаю: скважность — это отношение периода повторения к длительности импульса Q=Tи/tи

Величина, обратная скважности называется коэффициентом заполнения. Так вот, если имеются различия в параметрах, то мультивибратор будет несимметричным.

Мультивибратор в автоколебательном режиме имеет два состояния квазиравновесия, когда один из транзисторов находится в режиме насыщения, другой — в режиме отсечки и наоборот. Эти состояния не устойчивые. Переход схемы из одного состояния в другое происходит лавинообразно из-за глубокой ПОС.

Рисунок 3.3.2 — Графики, поясняющие работу симметричного мультивибратора

При включении питания транзистор VT1 открыт и насыщен током, проходящим через резистор R3. Напряжение на его коллекторе минимально. Конденсатор С1 разряжается. Транзистор VT2 закрыт и конденсатор С2 заряжается. Напряжение на конденсатор С1 стремится к нулю, а потенциал на базе транзистора VT2 постепенно становится положительным и VT2 начинает открываться. Напряжение на его коллекторе уменьшается и конденсатор С2 начинает разряжаться, транзистор VT1 закрывается. Далее процесс повторяется до бесконечности.

Параметры схемы должны быть следующими: R1=R4, R2=R3, C1=C2. Длительность импульсов определяется по формуле:

Период импульсов определяется:

Выходные импульсы снимаются с коллектора одного из транзисторов, причем с какого именно — не важно. Другими словами, в схеме два выхода

Улучшение формы выходных импульсов мультивибратора, снимаемых с коллектора транзистора, может быть достигнуто включением разделительных (отключающих) диодов в цепи коллекторов, как показано на рисунке 3.2.3. Через эти диоды параллельно коллекторным нагрузкам подключены дополнительные резистов R_д1 и R_д2.

Рис. 3.2.3 Мультивибратор с улучшенной формой выходных импульсов

В этой схеме после закрывания одного из транзисторов и понижения потенциала коллектора подключенный к его коллектору диод также закрывается, отключая конденсатора от коллекторной цепи. Заряд конденсатора происходит через дополнительный резистор R_д, а не через резстор в коллекторной цепи, и потенциал коллектора запирающегося транзистора почти скачком становится равным E_к. Максимальная длительность фронтов импульсов в коллекторных цепях определяется в основном частотными свойствами транзисторов.

Такая схема позволяет получить импульсы почти прямоугольной формы, но её недостатки заключаются в более низкой максимальной скважности и невозможностью плавной регулировки периода колебаний

Упаковка

Пары Дарлингтона доступны в виде интегрированных корпусов или могут состоять из двух дискретных транзисторов; Q ₁ , левый транзистор на схеме, может быть маломощным, но обычно Q ₂ (справа) должен быть высокой мощности. Максимальный ток коллектора I _C (max) пары равен току Q ₂ . Типичным интегрированным силовым устройством является 2N6282, который включает в себя отключающий резистор и имеет коэффициент усиления по току 2400 при I _C = 10 A.

Интегрированные устройства могут занимать меньше места, чем два отдельных транзистора, потому что они могут использовать общий коллектор. Интегрированные пары Дарлингтона поставляются по отдельности в транзисторных корпусах или в виде массива устройств (обычно восемь) в интегральной схеме .

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

Схематически полевой транзистор с управляющим p-n переходом можно представить в виде пластины, к торцам которой подключены электроды, исток и сток. На рис. показана структура и схема включения полевого транзистора с каналом n-типа:

В транзисторе с n-каналом основными носителями заряда в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока Ic. Между затвором и истоком приложено напряжение, запирающее p-n переход, образованный n-областью канала и p-областью затвора.

При подаче запирающего напряжения на p-n-переход Uзи на границах канала возникает равномерный слой, обедненный носителями заряда и обладающий высоким удельным сопротивлением. Это приводит к уменьшению проводящей ширины канала.

Изменяя величину этого напряжения, можно изменить сечение канала и, следовательно, изменять величину электрического сопротивления канала. Для полевого n-канального транзистора потенциал стока положителен по отношению к потенциалу истока. При заземленном затворе от стока к истоку протекает ток. Поэтому для прекращения тока на затвор нужно подать обратное напряжение в несколько вольт.

Значение напряжения Uзи, при котором ток через канал становится практически равен нулю, называется напряжением отсечки Uзап

Таким образом, полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода представляет собой сопротивление, величина которого регулируется внешним напряжением.

Полевой транзистор характеризуется следующей ВАХ:

Здесь зависимости тока стока Iс от напряжения при постоянном напряжении на затворе Uзи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора. На начальном участке характеристик Uси + |Uзи| < Uзап ток стока Iс возрастает с увеличением Uси. При повышении напряжения сток — исток до Uси = Uзап — |Uзи| происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока Iс прекращается (участок насыщения). Отрицательное напряжение Uзи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения Uси и тока стока Iс. Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора. Дальнейшее увеличение напряжения Uси приводит к пробою р-n-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя.

На ВАХ Iс = f(Uзи) показано напряжение Uзап. Так как Uзи ≤ 0 p-n-переход закрыт и ток затвора очень мал, порядка 10-8…10-9 А, поэтому к основным преимуществам полевого транзистора, по сравнению с биполярным, относится высокое входное сопротивление, порядка 1010…1013 Ом. Кроме того, они отличаются малыми шумами и технологичностью изготовления.

Практическое применение имеют две основные схемы включения. Схема с общим истоком (рис. а) и схема с общим стоком (рис. б) , которые показаны на рисунке:

Пара Шиклаи и каскодная схема

Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.

Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Импульсные (ключевые) стабилизаторы

У компенсационных стабилизаторов КПД не превышает 40 – 60 %, потому что они работают в непрерывном режиме, т.е. РЭ непрерывно изменяет свое внутреннее сопротивление и при этом на нем непрерывно изменяется мощность.

На много больше КПД (до 90%) у импульсных (ключевых) стабилизаторов. РЭ представляет собой периодически замыкаемый и размыкаемый транзисторный ключ.

Импульсный стабилизатор состоит из регулирующего элемента, сглаживающего фильтра и схемы управления, которая включает в себя схему сравнения, усилитель и преобразователь. Схема сравнения и усилитель аналогичны схемам в компенсационных стабилизаторах, а в качестве преобразователя используются генераторы импульсов, мультивибраторы, триггеры.

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Каскодная схема[править | править код]

Каскодный усилитель на биполярных n-p-n транзисторах

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор T1 включён по схеме с общим эмиттером, а транзистор T2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включённому по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Почему у первого транзистора СССР была только «мама»?

Сейчас невозможно представить наш мир без транзисторов и микросхем, а ведь создание первого транзистора СССР возложили на хрупкие плечи студентки института. Чем же была так гениальна студентка Сусанна Мадоян?

В 1948 году американская исследовательская корпорация Bell Telephone Laboratories объявила о создании транзистора-полупроводникового прибора, способного усиливать электрические сигналы. В прессе были опубликованы научные статьи об этом.

Мир воспринял эту новость не то что спокойно, а вообще равнодушно. Заинтересовались только научные учреждения, занимающиеся полупроводниками. В СССР эта область относилась Московскому Химико-Технологическому Институту. В список дипломных работ 1948 года включили тему: «Исследование материалов для кристаллического триода».

По легенде, тема сначала досталась некому «студенту-ботанику», который отказался от такой малоперспективной работы и тему передали бойкой студентке-отличнице Сусанне Мадоян и она отправилась на преддипломную практику в город Фрязино, в лабораторию А.В. Красилова (военное НИИ-160). Несмотря на все трудности, она сумела создать макет и исследовать работу кристаллического триода (транзистора), полностью раскрыв тему дипломной работы. Под руководством Красилова она опубликовала первый научный труд: статью «Кристаллический триод».

Так Сусанна Гукасовна Мадоян стала создателем первого транзистора СССР, практически «мамой» советской полупроводниковой промышленности.

Ни в США, ни в СССР никто тут же не бросился налаживать производство транзисторов-они были еще очень ненадежны и не отличались стабильностью характеристик. К ним тогда относились по принципу «может когда и пригодится».

В начале 50х годов эксперименты с полупроводниками проводили во многих НИИ СССР и было принято решение объединить усилия создав Институт Полупроводниковой Электроники (НИИ-35). В этом институте Сусанна Мадоян стала руководителем лаборатории по разработке и внедрению плоскостных германиевых транзисторов серии «П» (П1,2,3)

Примеру СССР так же последовала фирма Philips, принявшее решение самостоятельно разработать транзисторы. А вот японская фирма Sony предпочла купить лицензию на производство транзисторов в США за 25000 долларов, удачно вложив доходы от продажи саке. Лицензию, кстати, мог купить любой желающий, таковых оказалось около 10 фирм.

К 1953 году американская промышленность была готова к крупносерийному производству транзисторов, но все производители радиоаппаратуры отказывались использовать такой экзотический и непонятный прибор. Концерну Texas Instruments практически пришлось умолять никому не известную фирму IDEA взяться за выпуск карманных радиоприемников, обещая в будущем «большие пряники». Первый транзисторный приемник Regency TR-1 поступил в продажу в конце 1954 года. Всего было изготовлено около 100 тысяч штук. Хотя приемник оказался убыточным в производстве, он «раздразнил» других производителей начать производство транзисторной аппаратуры.

Интересный список первых приемников с ценами здесь.

Сусанна Гукасовна Мадоян стала кандидатом технических наук и в 1969 году перешла на преподавательскую работу, возглавив кафедру «Полупроводниковые приборы» в Институте стали и сплавов . Читала студентам лекции по курсу «Технология полупроводниковых приборов» и была научным руководителем аспирантов.

Эту статью я уже публиковал на другом сайте, надеюсь и читателям ХАБРа было интересно узнать такой малоизвестный факт.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

TO-220 и TO-247

Похожие записи:

Обзор лучших программируемых логических контроллеров на 2021 год Уличный ящик для электросчетчика: требования и особенности выбора и установки электрощитка Favourite Как подключить джойстик к arduino Какую люстру в виде шара выбрать Двухтарифный прибор день/ночь: как снять показания, какой электросчетчик лучше всего поставить